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公开(公告)号：CN119395326B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510005267.8
申请日：2025-01-03
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
IPC: G01P15/03 , G01B11/02 , G01B9/02015 , G01D5/353
Abstract: 一种微腔干涉仪原理的宽温高精度光学加速度敏感芯片、传感器及其制造方法，包括第一基底、第二基底和第三基底，在所述第一基底上加工形成光纤安装座和通光孔，在所述第二基底上加工有梁结构和惯性质量块，所述第一基底、第二基底和第三基底均采用双抛超平硅片，在所述光纤安装座上固定有单模光纤组件，所述单模光纤组件的端面采用精密研磨并与光纤纤芯的轴向垂直，利用所述惯性质量块朝向通光孔的一侧端面形成第一腔镜，所述单模光纤组件的端面形成第二腔镜，第一腔镜和所述第二腔镜构成F‑P干涉腔，第一基底、第二基底和第三基底采用硅‑硅键合工艺实现连接。
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公开(公告)号：CN119461233B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510045493.9
申请日：2025-01-13
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种真空微腔干涉仪芯片、制造方法及宽量程光学压力传感器。包括第一基底和第二基底，第二基底与第一基底键合成一体，第一基底上制作有压力敏感薄膜，压力敏感薄膜上沉积有第一反射面，第二基底上沉积有与第一反射面对应设置的第二反射面，当两个基底键合后第一反射面和第二反射面形成F‑P光学干涉腔，至少一个吸气剂腔设置在第一基底和/或第二基底上，在吸气剂腔的表面设置有吸气剂薄膜，吸气剂腔与F‑P光学干涉腔分开，通过气道连接，可以将气道的尺寸做得很小，避免吸气剂激活后产生的少量颗粒污染光学膜导致器件失效；传感器整体是密封结构，没有与芯片外连接的结构，保证了芯片整体的气密性，降低了后续壳体封装的真空度要求。
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公开(公告)号：CN119461232B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510045360.1
申请日：2025-01-13
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
Abstract: 本申请涉及一种真空微腔干涉仪芯片、制造方法及超高精度光学压力传感器，包括第一基底的下表面刻蚀形成有凹腔，当所述第一基底和所述第二基底键合后，所述凹腔形成为F‑P干涉腔，在所述F‑P干涉腔内的所述第一基底的表面设置有第一反射面，在所述F‑P干涉腔内的所述第二基底的表面设置有第二反射面，所述第三基底的上表面形成环形腔，所述环形腔内至少一个表面沉积有所述吸气剂薄膜，在所述第二基底上设置有至少一个通气孔，所述通气孔连通所述F‑P干涉腔和所述环形腔；所述环形腔和F‑P干涉腔在水平面上的投影至少存在部分重合。
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公开(公告)号：CN119461234A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510045540.X
申请日：2025-01-13
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
Abstract: 一种真空微腔干涉仪芯片、制造方法及低漂移光学压力传感器,在第一基底的上表面形成有膜岛结构，所述膜岛结构包括凸出部和环绕所述凸出部的压力敏感薄膜，所述第一基底的下表面沿径向方向依次设置有第一侧壁部、吸气剂腔、第二侧壁部和位于中心的F‑P干涉腔，所述F‑P干涉腔中第一基底的下表面沉积有第一反射面，所述F‑P干涉腔中第二基底的上表面沉积有第二反射面，所述凸出部的表面沉积有第一光学增透膜，所述第一光学增透膜、凸出部、压力敏感薄膜、第一反射面和第二反射面具有相同的中心；还包括通气孔，所述通气孔设置在所述第二侧壁部用于连通所述吸气剂腔和所述F‑P干涉腔。
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公开(公告)号：CN119461233A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510045493.9
申请日：2025-01-13
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种真空微腔干涉仪芯片、制造方法及宽量程光学压力传感器。包括第一基底和第二基底，第二基底与第一基底键合成一体，第一基底上制作有压力敏感薄膜，压力敏感薄膜上沉积有第一反射面，第二基底上沉积有与第一反射面对应设置的第二反射面，当两个基底键合后第一反射面和第二反射面形成F‑P光学干涉腔，至少一个吸气剂腔设置在第一基底和/或第二基底上，在吸气剂腔的表面设置有吸气剂薄膜，吸气剂腔与F‑P光学干涉腔分开，通过气道连接，可以将气道的尺寸做得很小，避免吸气剂激活后产生的少量颗粒污染光学膜导致器件失效；传感器整体是密封结构，没有与芯片外连接的结构，保证了芯片整体的气密性，降低了后续壳体封装的真空度要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115728511A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202110982224.7
申请日：2021-08-25
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司
IPC: G01P15/03
Abstract: 一种敏感结构及敏感结构的形成方法，结构包括：惯性质量块，所述惯性质量块包括相对的第一面和第二面；环绕所述惯性质量块的支撑部；固定连接于所述支撑部和惯性质量块之间的弹性梁结构，所述弹性梁结构包括若干第一弹性层和若干第二弹性层，所述第一弹性层到第一面的距离小于第二弹性层到第一面的距离，所述第一弹性层和第二弹性层在第一面的平行面上的投影不重合。所述敏感结构的性能得到提升。
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公开(公告)号：CN115560682A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211545084.8
申请日：2022-12-05
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明提供一种位移测量装置及其制造方法，包括：左侧固定支座和右侧固定支座，所述的左侧固定支座和右侧固定支座安装于待测目标物表面；以及设置在左侧固定支座与右侧固定支座之间的支撑梁；所述的支撑梁包括左侧支撑梁、右侧支撑梁以及设置在左侧支撑梁和右侧支撑梁之间的顶部支撑梁；所述的左侧支撑梁上设置有悬臂梁，悬臂梁远离左侧支撑梁的端部设置有闪耀光栅芯片；顶部支撑梁的下方设置有准直单元，所述准直单元的入光侧接收光源信号，所述准直单元的出光侧用于将准直后的光源信号输出至所述闪耀光栅芯片。本发明的方案能够捕捉被测物体的微小位移量，实现纳米级到毫米级的位移变化量的测量，具有高灵敏度和高精度特性，适用场景广泛。
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公开(公告)号：CN115373081A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211314437.3
申请日：2022-10-26
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MEMS光纤波长可调谐滤波器，包括：第一光纤结构；光传输结构，包括第一面和第二面；第一支撑结构，环绕并连接于光传输结构的第二面的边缘；敏感结构，包括可动光学微镜、环绕可动光学微镜的第三支撑结构以及将可动光学微镜连接在第二支撑结构上的弹性梁，第二支撑结构与第一支撑结构连接，可动光学微镜具有第一面与第二面，第一面具有第二电极层和第二反射层，第一反射层和第二反射层之间形成FP腔体，并且其距离为FP腔体的长度；第一金属电极和第二金属电极，分别与第一电极层和第二电极层电性连接。通过对第一金属电极和第二金属电极施加电压以改变FP腔体的长度。
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公开(公告)号：CN119461232A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510045360.1
申请日：2025-01-13
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
Abstract: 本申请涉及一种真空微腔干涉仪芯片、制造方法及超高精度光学压力传感器，包括第一基底的下表面刻蚀形成有凹腔，当所述第一基底和所述第二基底键合后，所述凹腔形成为F‑P干涉腔，在所述F‑P干涉腔内的所述第一基底的表面设置有第一反射面，在所述F‑P干涉腔内的所述第二基底的表面设置有第二反射面，所述第三基底的上表面形成环形腔，所述环形腔内至少一个表面沉积有所述吸气剂薄膜，在所述第二基底上设置有至少一个通气孔，所述通气孔连通所述F‑P干涉腔和所述环形腔；所述环形腔和F‑P干涉腔在水平面上的投影至少存在部分重合。
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公开(公告)号：CN119395326A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510005267.8
申请日：2025-01-03
Applicant: 上海拜安传感技术有限公司 , 上海拜安半导体有限公司
IPC: G01P15/03 , G01B11/02 , G01B9/02015 , G01D5/353
Abstract: 一种微腔干涉仪原理的宽温高精度光学加速度敏感芯片、传感器及其制造方法，包括第一基底、第二基底和第三基底，在所述第一基底上加工形成光纤安装座和通光孔，在所述第二基底上加工有梁结构和惯性质量块，所述第一基底、第二基底和第三基底均采用双抛超平硅片，在所述光纤安装座上固定有单模光纤组件，所述单模光纤组件的端面采用精密研磨并与光纤纤芯的轴向垂直，利用所述惯性质量块朝向通光孔的一侧端面形成第一腔镜，所述单模光纤组件的端面形成第二腔镜，第一腔镜和所述第二腔镜构成F‑P干涉腔，第一基底、第二基底和第三基底采用硅‑硅键合工艺实现连接。
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