公开(公告)号：CN117393334A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311564986.0

申请日：2023-11-22

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 董振标 ,  张倩格 ,  董安平 ,  郭渊 ,  翟长生 ,  韩生

IPC: H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明涉及一种光辅助超级电容器用NiCo2S4@NiCo‑LDH/NF电极材料的制备方法，具体包括以下步骤：将泡沫镍分别在水、乙醇、稀盐酸溶液中超声清洗15min，放入真空干燥箱中60℃干燥12h，去除泡沫镍表面杂质，增加其浸润性；将清洗干净的泡沫镍放在镍源、钴源和硫源的混合溶液中进行水热，使其表面生长均匀的NiCo2S4纳米片结构；再将NiCo2S4/NF放入镍源、钴源和尿素的混合溶液中进行水热，生成NiCo2S4@NiCo‑LDH/NF纳米复合结构；将上述合成的NiCo2S4@NiCo‑LDH/NF复合电极作为工作电极，将LP‑750可调型光催化仪模拟太阳光为光源，在3M KOH中测试了NiCo2S4@NiCo‑LDH/NF电极材料的电化学性能。本发明制备的光辅助超级电容器电极材料在1A g‑1电流密度下，光照工况比电容可达3285F g‑1，与未经光照相比，比电容提高了52％，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN119503910A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411750031.9

申请日：2024-12-02

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 董振标 ,  张倩格 ,  李俊瑶

IPC: C01G53/82 ,  C01B21/082 ,  C01B32/15 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01G11/30

Abstract: 本发明涉及一种双光子耦联的镍钴硫基超级电容器电极的制备方法，具体包括以下步骤：在管式炉中将三聚氰胺放入坩埚中密封煅烧形成块状的g‑C3N4，再将其通过研磨形成粉末；将柠檬酸和乙二胺的混合液进行水热形成NCQDs；将泡沫镍放在镍源、钴源和硫源的混合溶液中进行水热，使其表面生长均匀的NiCo2S4纳米片；再将NiCo2S4/NF放入含有g‑C3N4和NCQDs的乙二醇水溶液中进行水热，生成NiCo2S4@g‑C3N4@NCQDs/NF纳米复合结构。本发明以多孔结构泡沫镍为基底提高电极材料的导电性，利用NiCo2S4与g‑C3N4和NCQDs之间匹配的光学带隙结构以及优异的传输特性，为提高电极材料电化学性能提供了良好的方案，本发明制备的电极材料在1 A g‑1电流密度下，光照工况的比电容达到2836 F g‑1，是未经光照的1.47倍。