公开(公告)号：CN113814416B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202110919218.7

申请日：2021-08-11

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 兰亮 ,  何博 ,  辛如意 ,  高双

IPC: B22F10/364 ,  B22F10/64 ,  B22F10/28 ,  B33Y40/20

Abstract: 本发明涉及一种电子束增材制造全等轴晶金属构件的方法，在电子束增材制造金属构件的过程中，每铺粉打印完一层后，对打印层进行激光冲击强化处理，然后在激光冲击强化处理后的打印层表面进行铺粉，打印下一层，依据预先设定的层数打印完成后即获得全等轴晶电子束增材制造金属构件；每次铺粉的厚度为30～90μm，激光冲击强化处理的激光功率密度为5～25GW/cm2。本发明的一种电子束增材制造全等轴晶金属构件的方法，基于金属增材制造，引入激光冲击强化工艺并通过控制粉末层厚的方法，诱导初生柱状晶向等轴晶转变，同时改善金属增材制造过程中固有缺陷，得到机械性能优异的全等轴晶金属构件。

公开(公告)号：CN113814416A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110919218.7

申请日：2021-08-11

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 兰亮 ,  何博 ,  辛如意 ,  高双

IPC: B22F10/364 ,  B22F10/64 ,  B22F10/28 ,  B33Y40/20

Abstract: 本发明涉及一种电子束增材制造全等轴晶金属构件的方法，在电子束增材制造金属构件的过程中，每铺粉打印完一层后，对打印层进行激光冲击强化处理，然后在激光冲击强化处理后的打印层表面进行铺粉，打印下一层，依据预先设定的层数打印完成后即获得全等轴晶电子束增材制造金属构件；每次铺粉的厚度为30～90μm，激光冲击强化处理的激光功率密度为5～25GW/cm2。本发明的一种电子束增材制造全等轴晶金属构件的方法，基于金属增材制造，引入激光冲击强化工艺并通过控制粉末层厚的方法，诱导初生柱状晶向等轴晶转变，同时改善金属增材制造过程中固有缺陷，得到机械性能优异的全等轴晶金属构件。