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公开(公告)号:CN107043107B
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN201710208346.4
申请日:2017-03-31
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: C01B32/198 , C01B32/194 , C01B33/12 , C08J5/18 , C08K3/04 , C08L29/04
Abstract: 本发明涉及一种垂直取向石墨烯基材料的制备方法,包括以下步骤:(1)取石墨烯基原料分散于溶剂中,得到石墨烯基分散液;(2)将步骤(1)制得的石墨烯基分散液过滤,得到石墨烯基薄膜;(3)将步骤(2)制得的石墨烯基薄膜极速冷冻,干燥,即得到所述垂直取向的石墨烯基材料。与现有技术相比,本发明可以控制氧化石墨烯、石墨烯以及石墨烯复合物等石墨烯基衍生物表面进行垂直取向,所得的石墨烯基材料的导电性等可以得到显著提高,且工艺与设备简单,易于规模化生产等。
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公开(公告)号:CN107043107A
公开(公告)日:2017-08-15
申请号:CN201710208346.4
申请日:2017-03-31
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: C01B32/198 , C01B32/194 , C01B33/12 , C08J5/18 , C08K3/04 , C08L29/04
CPC classification number: C01B33/12 , C01B2204/22 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C08J5/18 , C08J2329/04 , C08K3/04 , C08L29/04 , C08L2203/16
Abstract: 本发明涉及一种垂直取向石墨烯基材料的制备方法,包括以下步骤:(1)取石墨烯基原料分散于溶剂中,得到石墨烯基分散液;(2)将步骤(1)制得的石墨烯基分散液过滤,得到石墨烯基薄膜;(3)将步骤(2)制得的石墨烯基薄膜极速冷冻,干燥,即得到所述垂直取向的石墨烯基材料。与现有技术相比,本发明可以控制氧化石墨烯、石墨烯以及石墨烯复合物等石墨烯基衍生物表面进行垂直取向,所得的石墨烯基材料的导电性等可以得到显著提高,且工艺与设备简单,易于规模化生产等。
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