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发明公开
硫锡锶钠化合物、晶体材料、制备方法及其用途审中-实审

公开(公告)号：CN118007240A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311812777.3

申请日：2023-12-27

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 梅大江 , 党君惠 , 殷慧琳 , 武瑕 , 马梦洁 , 刘阳 , 李乾坤 , 吴远东

IPC: C30B29/46 , C30B1/10

Abstract: 本发明公开了一种硫锡锶钠化合物、晶体材料、制备方法及其用途；其中，所述硫锡锶钠化合物的化学式为Na2SrSnS4，所述晶体材料具有非中心对称结构，属三方晶系，空间群为R3c，所述晶体材料采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长获得。所述晶体材料为非线性光学晶体，其生长中晶体易长大且透明无包裹，具有生长速度较快，生长温度较低，成本低，容易获得较大尺寸晶体的优点；且具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存的优点；该晶体材料可用于制作非线性光学器件。

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