公开(公告)号：CN110718630B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201910680727.1

申请日：2019-07-26

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 张修丽 ,  徐红霞 ,  汪丽莉 ,  时志 ,  黄志强

IPC: H10N97/00

Abstract: 本发明涉及一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，在采用正探针尖端或负探针尖端向铁电薄膜电容器中的薄膜施加电压以读写铁电薄膜电容器的过程中，将尖端输入的脉冲长度缩至2ms以下，且/或在铁电薄膜电容器被电压极化后，将尖端输入的电压调至0V后保持一段时间，以改善铁电薄膜电容器性能。本发明的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，简单易操作且成本较低，解决了现有技术中采用正探针尖端输入电压时铁电薄膜电容器耐疲劳性能较差和读写速度较慢的问题，同时解决了采用负探针尖端输入电压时铁电薄膜电容器读写速度有待进一步提高的问题，极具推广价值。

公开(公告)号：CN110718630A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910680727.1

申请日：2019-07-26

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 张修丽 ,  徐红霞 ,  汪丽莉 ,  时志 ,  黄志强

IPC: H01L49/02

Abstract: 本发明涉及一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，在采用正探针尖端或负探针尖端向铁电薄膜电容器中的薄膜施加电压以读写铁电薄膜电容器的过程中，将尖端输入的脉冲长度缩至2ms以下，且/或在铁电薄膜电容器被电压极化后，将尖端输入的电压调至0V后保持一段时间，以改善铁电薄膜电容器性能。本发明的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，简单易操作且成本较低，解决了现有技术中采用正探针尖端输入电压时铁电薄膜电容器耐疲劳性能较差和读写速度较慢的问题，同时解决了采用负探针尖端输入电压时铁电薄膜电容器读写速度有待进一步提高的问题，极具推广价值。