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公开(公告)号：CN103678804A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310675674.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种MEMS开关仿真分析方法，其包括如下步骤：a)建立MEMS开关的有限元模型；b)分析MEMS开关在通电情况下的输出性能及内部磁场强度分布情况；c)根据分析结果，对MEMS开关的结构进行优化。本发明首次提供了一种MEMS开关仿真分析方法，通过本发明方法建立MEMS开关的有限元模型，从而可掌握通入电压以及结构设计对MEMS开关输出性能的影响，进而为MEMS开关结构优化与设计提供依据。本发明应用性强，可用于MEMS开关双稳态工作机理的研究中，对MEMS开关的性能监测具有重要价值。
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