公开(公告)号：CN118870956A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410738484.3

申请日：2024-06-07

Applicant: 上海宝信软件股份有限公司

Inventor： 李瑞忠 ,  陶海燕 ,  陈志宏 ,  沈晓栋 ,  蔡英明 ,  陈晓文 ,  董波 ,  宋洪柱 ,  卓鹏启 ,  石宵成

IPC: H10N30/092 ,  H10N30/082 ,  H10N30/086 ,  H10N30/085 ,  H10N30/08 ,  H10N30/85

Abstract: 本发明提供了一种复合压电陶瓷晶片及其制造方法。该方法是一种平面图案可以任意设计和制造的复合压电陶瓷晶片。制造过程中采用可以进行任意图案加工的激光雕刻设备、机械雕刻设备、化学蚀刻设备等，可以任意控制各个位置的加工深度。这种新型的复合压电陶瓷晶片可以利用发射声波的自我干涉，参考DOE(Diffractive Optical Elements)设计技术，形成各种定制的声场空间分布。为新一代超声换能器的设计和制造提供了阶跃式的制造技术基础。