公开(公告)号：CN117534961A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311234850.3

申请日：2023-09-22

Applicant: 上海大学 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 李乾利 ,  陈靖坤 ,  程帅 ,  张泽青 ,  陈家璇 ,  郝书童 ,  李育成 ,  黎乃鑫 ,  徐明辉 ,  杨雪纯 ,  赵景泰

IPC: C08L83/04 ,  C08L63/00 ,  C08K9/00 ,  C08K3/22 ,  C08K3/08 ,  G21K4/00 ,  B01F21/10 ,  B01J19/00 ,  G01T1/202

Abstract: 本发明提供了一种ZnO：Sc微米晶及其聚合物闪烁屏的制备方法和应用，属于辐射探测与成像技术领域技术领域，它解决了现有技术中制备闪烁屏的过程复杂、成本高昂、制备周期长等技术问题。本发明利用水热反应法制备ZnO：Sc微米晶，通过添加聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone，PVP)控制ZnO：Sc形态，首次制备出呈双层饼状的ZnO：Sc微米晶，然后将制备的微米晶与PDMS或RTV复合制备成ZnO：Sc大尺寸聚合物柔性闪烁屏，或者与EP复合成超厚硬性闪烁屏，不仅可降低ZnO：Sc自身的自吸收问题提高发光效率，而且可以制备成任意形状与尺寸。ZnO：Sc聚合物闪烁转换屏不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短，而且具有良好的闪烁发光性能以及制备出大尺寸和超厚的闪烁转换屏的优势。