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公开(公告)号：CN1424778A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02160100.3
申请日：2002-12-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种检测二氧化碳的半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用厚膜工艺制造掺杂CuO－BaTiO3体系的厚膜气敏元件，掺杂物质包括AgNO3、PdCl4、SrO、La2O3、ZnO、Bi2O3中的一种或几种；该CuO－BaTiO3体系厚膜的基料制造方法为：采用分析纯BaCO3和TiO2以1∶1摩尔比混合在1300℃下煅烧6小时，研磨后，再和CuO按1∶1摩尔比混合，进一步研磨均匀，即得厚膜基料，然后再加入一定量的掺杂物质，研磨均匀，然后加入一定量的去离子水，并研磨至浆状；然后将浆料以丝网方式印刷在事先做好金电极和氧化钌电阻加热层的氧化铝衬底的顶面上，并在550℃下热处理5小时，生成厚膜，由此制得传感器的气敏元件。本发明的传感器气敏元件能对二氧化碳气体在100ppm至10％浓度范围内均有良好的传感性。
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公开(公告)号：CN1259736C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN02160702.8
申请日：2002-12-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种检测二氧化氮的半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用超声喷雾热解法在已加工好金电极和氧化钌电阻加热层的石英衬底上制备铟锡氧化物薄膜，而制成的二氧化氮气体传感器气敏元件；超声喷雾热解法是将石英衬底置于管式炉内，利用超声振荡器使反应液雾化，由氮气作为载气，将雾化的反应液带入管式炉内，雾化的反应液由喷嘴喷向石英衬底；反应液的制备方法为：首先将反析纯的金属铟溶解在1mol/l的硝酸中，形成硝酸铟溶液，再加入四氯化锡，加入量控制在Sn∶In＝5∶100摩尔比，将配好的溶液用去离子水稀释至0.1mol/l，，即为反应液。本发明的传感器气敏元件能对二氧化氮气体在0.1ppm至5ppm浓度范围内均有良好的传感性。该传感器工艺简单、灵敏度较高，并且使用方便。
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公开(公告)号：CN1269234C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN02160100.3
申请日：2002-12-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种检测二氧化碳的半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用厚膜工艺制造掺杂CuO-BaTiO3体系的厚膜气敏元件，掺杂物质包括AgNO3、PdCl4、SrO、La2O3、ZnO、Bi2O3中的一种或几种；该CuO-BaTiO3体系厚膜的基料制造方法为：采用分析纯BaCO3和TiO2以1∶1摩尔比混合在1300℃下煅烧6小时，研磨后，再和CuO按1∶1摩尔比混合，进一步研磨均匀，即得厚膜基料，然后再加入一定量的掺杂物质，研磨均匀，然后加入一定量的去离子水，并研磨至浆状；然后将浆料以丝网方式印刷在事先做好金电极和氧化钌电阻加热层的氧化铝衬底的顶面上，并在550℃下热处理5小时，生成厚膜，由此制得传感器的气敏元件。本发明的传感器气敏元件能对二氧化碳气体在100ppm至10%浓度范围内均有良好的传感性。
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公开(公告)号：CN1424779A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02160702.8
申请日：2002-12-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种检测二氧化氮的半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用超声喷雾热解法在已加工好金电极和氧化钌电阻加热层的石英衬底上制备铟锡氧化物薄膜，而制成的二氧化氮气体传感器气敏元件；超声喷雾热解法是将石英衬底置于管式炉内，利用超声振荡器使反应液雾化，由氮气作为载气，将雾化的反应液带入管式炉内，雾化的反应液由喷嘴喷向石英衬底；反应液的制备方法为：首先将反析纯的金属铟溶解在1mol/l的硝酸中，形成硝酸铟溶液，再加入四氯化锡，加入量控制在Sn∶In＝5∶100摩尔比，将配好的溶液用去离子水稀释至0.1mol/l，，即为反应液。本发明的传感器气敏元件能对二氧化氮气体在0.1ppm至5ppm浓度范围内均有良好的传感性。该传感器工艺简单、灵敏度较高，并且使用方便。
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