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公开(公告)号：CN117042552A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311041153.6
申请日：2023-08-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种电解质栅控晶体管阵列及其高精度集成方法、高离子电导率的准固态电解质及其应用。本发明提供的集成方法制备得到的电解质栅控突触晶体管阵列区别于传统的顶栅结构或者底栅结构晶体管，其栅极在并不在晶体管沟道的垂直区域内，在方便阵列走线的同时，简化了工艺步骤，并且，该晶体管栅极介质设置在顶部，可最后制备，从而能够在设置栅极介质前实现复合功能结构的大阵列、高精度制备，避免了光刻工艺和液态或准固态电解质栅介质之间的不兼容，简化了集成方法。同时，该器件结构中栅极和源极漏极间引入了额外的隔离层，隔绝了栅极和源极漏极避免了两层电极间的串扰。
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