公开(公告)号：CN116084021A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310003498.6

申请日：2023-01-03

Applicant: 上海大学

Inventor： 钟云波 ,  郑天祥 ,  林文浩 ,  周邦飞 ,  冯美龙 ,  蔡浩 ,  陈子阳 ,  陈苏林

IPC: C30B30/04 ,  C30B29/02 ,  C30B21/02

Abstract: 本发明公开了一种磁场下无籽晶连续制备单晶的方法及其装置，是一种全新的单晶制备方法及装置。在定向凝固过程中，结合熔融玻璃净化剂减少形核质点的特点以及稳恒静磁场在凝固过程中抑制形核以及对导电流体的流动的强烈抑制作用，为晶体的生长提供了稳定的热和溶质环境。本发明利用稳恒静磁场，将纯金属、混合均匀的合金或半导体通过凝固的方式连续制备单晶，实现了在凝固条件下，直接从高温熔体中连续生长单晶的方法，通过调整磁感应强度、温度梯度和抽拉速度可获得具有多尺度凝固组织的单晶晶体，适用于纯金属的提纯，高温合金等合金及半导体单晶制备。本发明工艺简单，可操作性强，无需籽晶体，可连续生产制备单晶产品，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN118600119A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410681772.X

申请日：2024-05-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 钟云波 ,  陈子阳 ,  郑天祥 ,  林文浩 ,  周邦飞 ,  冯美龙 ,  陈苏林 ,  李豪 ,  秦中汉 ,  刘春梅

IPC: C21B5/00

Abstract: 本发明涉及一种磁场下低温氢还原氧化铁矿连续制备纯铁的方法及装置。该方法为在还原气体气氛下，加热氧化铁矿，再对氧化铁矿施加磁场，待氧化铁矿还原成纯铁后收集。与现有技术相比，本发明具有还原温度低、氢利用率高、还原过程简单和还原速度快的优点。

公开(公告)号：CN117364222A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311307576.8

申请日：2023-10-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 钟云波 ,  郑天祥 ,  冯美龙 ,  林文浩 ,  周邦飞 ,  陈子阳 ,  陈苏林 ,  李豪 ,  秦中汉 ,  刘春梅

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/52 ,  C30B30/04 ,  B22D11/10

Abstract: 本发明公开了静磁场下多模式连铸单晶的方法及装置，是一种连铸制备单晶的方法及装置。在单晶制备过程中，静磁场的引入对纯金属而言，主要作用在于抑制熔体的流动和温度波动，避免熔体和坩埚接触地方异质形核质点进入金属熔体中，降低形核率的同时保证晶体具有一个稳定的热生长环境。对于凝固过程中存在溶质再分配行为的合金材料，磁场能够降低溶质原子扩散距离，降低固液界面前沿的成分过冷，增加晶粒之间的有效形核距离，抑制熔体中初生相的形核，配合施加的外部热通量，实现熔体中单个晶核的生长。本发明方法工艺简单，可操作性强，可生产连续制备单晶材料，具有广阔的应用前景。