公开(公告)号：CN101388434B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810201994.8

申请日：2008-10-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 程晋荣 ,  陈凤 ,  俞圣雯

IPC: H01L41/22

Abstract: 本发明涉及一种硅/钴酸镧锶/锆钛酸铅三层结构压电材料的制备方法，属无机压电铁电材料制备工艺技术领域。本发明采用溶胶-凝胶工艺在普通硅衬底上制备具有(100)晶面择优取向的锆钛酸铅(PZT)薄膜和钴酸镧锶(LSCO)氧化物电极薄膜；同时通过改变LSCO溶胶的浓度来控制PZT薄膜的取向生长。本发明可降低衬底、电极的工艺成本，同时可优化PZT薄膜的结构和性能。本发明的产品可运用于用作微机电系统传感器和换能器的压电铁电材料。

公开(公告)号：CN119738400A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411485383.6

申请日：2024-10-23

Applicant: 海南大学 ,  上海大学

Inventor： 曹宏梅 ,  李莹 ,  叶代新 ,  陈凤 ,  黄添增 ,  吴烁

IPC: G01N21/78

Abstract: 本发明公开了基于单原子纳米酶构建的比色阵列传感器同时检测多种食源性致病菌的方法，实现高灵敏快速同时检测多种食源性致病菌，提高传感器的灵敏度，缩短检测时间，简化操作步骤，降低检测成本，扩大检测范围，可靠性强，在食品安全领域具有重要的研究意义。

公开(公告)号：CN101388434A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810201994.8

申请日：2008-10-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 程晋荣 ,  陈凤 ,  俞圣雯

IPC: H01L41/22

Abstract: 本发明涉及一种硅/钴酸镧锶/锆钛酸铅三层结构压电材料的制备方法，属无机压电铁电材料制备工艺技术领域。本发明采用溶胶－凝胶工艺在普通硅衬底上制备具有(100)晶面择优取向的锆钛酸铅(PZT)薄膜和钴酸镧锶(LSCO)氧化物电极薄膜；同时通过改变LSCO溶胶的浓度来控制PZT薄膜的取向生长。本发明可降低衬底、电极的工艺成本，同时可优化PZT薄膜的结构和性能。本发明的产品可运用于用作微机电系统传感器和换能器的压电铁电材料。