公开(公告)号：CN115112721A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210630028.8

申请日：2022-06-06

Applicant: 上海大学

Inventor： 王晓红 ,  徐甲强 ,  刘涵 ,  陈伊璐

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种双贵金属修饰有机‑无机杂化钙钛矿衍生复合氧化物半导体材料、其制备方法及其应用。本发明通过湿化学法合成CH3NH3SnI3并通过在不同温度下焙烧形成CH3NH3SnI3‑SnO2复合氧化物，在合成过程中引入贵金属对其进行修饰，获得双贵金属Pd‑Au修饰的复合材料。CH3NH3SnI3和SnO2复合形成Z型材料，加快了SnO2的活化，同时避免了电子和空穴的复合，提高了材料的CO气敏性能，而Pd和Au的协同作用，则使材料的性能进一步提高，其对CO具有较高的响应值，较快的响应恢复速率，较好的稳定性和选择性。本发明制备方法简单，易于实施，适合推广应用。

公开(公告)号：CN109142468A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810834217.0

申请日：2018-07-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王晓红 ,  徐甲强 ,  张欣瑜 ,  陈伊璐

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: G01N27/127 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种金‑甲基氨基碘化亚锡‑二氧化锡复合材料、其应用及制备方法，本发明Au/CH3NH3SnI3/SnO2复合材料能作为室温NO2半导体传感器材料，通过湿化学法将Au引入CH3NH3SnI3并通过焙烧使其部分分解为SnO2，获得Au/CH3NH3SnI3/SnO2复合材料。在CH3NH3SnI3和之间SnO2形成异质结，使得CH3NH3SnI3的光生电子易于转移至SnO2的导带，加快了SnO2的光活化，同时避免了光生电子和空穴的复合，提高了CH3NH3SnI3的量子效率。在三种材料的相互作用下获得了稳定性高、吸光范围大的光助气敏材。本发明方法制备方法简单，易于实施。