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公开(公告)号：CN101215467B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810032389.2
申请日：2008-01-08
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/02
Abstract: 本发明涉及一种硅烷包裹II-VI族半导体量子点的方法。该方法包括II-IV族半导体量子点的制备、无机包裹以及硅烷包裹。II-IV族半导体量子点的硅烷包裹的具有步骤为：将壬基酚聚氧乙烯醚溶于环己烷中形成稳定的反相胶束溶液，再将经过无机包裹的II-IV族半导体量子点的氯仿溶液，加入到步骤a的反相胶束溶液中，然后加入γ-巯丙基三甲氧基硅烷；调节pH值范围为8.0-10.0，加入正硅酸乙脂，然后进行功能化，最后得到经功能化的硅烷包裹的II-IV族半导体量子点；本发明方法通过控制量子点硅烷层的厚度来增加量子点在缓冲液中的稳定性，很好的保持其荧光特性，减少量子点的光漂白及其光猝灭效应，还可以通过选用不同的功能化基团来实现量子点的表面功能化修饰，提供量子点水溶后的生物应用基础，通过硅烷处理后的量子点可以使其成为生物荧光标记领域应用的首选。
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公开(公告)号：CN100536186C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200810034121.2
申请日：2008-02-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种以H2Te气体为碲源的II-VI族半导体CdTe量子点的制备方法。该方法具体包括前躯体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明以H2Te气体为碲源，通过通入H2Te气体，减少了前驱体溶液的杂质成分，所制备的II-VI族半导体CdTe量子点，粒子分布从2.0～6.5nm，分散均匀，荧光产率高。同时，操作简单，成本低，毒性小，可以直接用于生物荧光标识、临床诊断等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101255603B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200710171806.7
申请日：2007-12-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种在多孔阳极氧化铝模板上电沉积法制备II-VI族半导体材料纳米线的方法。本发明方法具体步骤为：首先将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO3溶液中，搅拌，以形成SO32-、HSeO2+或HTeO2+溶液；配制可溶性镉盐或锌盐溶液，并加入钠盐作为辅助电解质；将上述配制的两种溶液混合，搅拌均匀，形成混合电解液，调节该混合电解液的pH值为1-2.5，搅拌10分钟，形成稳定的电解液溶液；以上述制备的溶液为电解液，在三电极电化学工作站上，以多孔阳极氧化铝模板粘贴的导电玻璃接触为工作电极，钛电极作对电极，以饱和甘汞电极作参比电极，作循环伏安特性，扫描方向从-1V到0V，扫描步长为0.1V/s，建立电沉积时用电流—电压曲线以确定电沉积电位；搅拌下，以上述步骤确定的电沉积电压进行电沉积，直至整个多孔阳极氧化铝模板变成黑色，即得到CdS、CdSe、CdTe或ZnSe半导体材料纳米线。
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公开(公告)号：CN101246941A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810034121.2
申请日：2008-02-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种以H2Te气体为碲源的II－VI族半导体CdTe量子点的制备方法。该方法具体包括前躯体溶液的制备、量子点的制备等步骤。本发明以H2Te气体为碲源，通过通入H2Te气体，减少了前驱体溶液的杂质成分，所制备的II－VI族半导体CdTe量子点，粒子分布从2.0～6.5nm，分散均匀，荧光产率高。同时，操作简单，成本低，毒性小，可以直接用于生物荧光标识、临床诊断等。
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公开(公告)号：CN101029217A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710038730.0
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海大学
IPC: C09K5/06
Abstract: 本发明涉及一种有机－无机纳米复合相变储能材料的制备方法，特别是一种棕榈酸/二氧化硅纳米复合相变储能材料的制备方法。属吸热储能材料制备工艺技术领域。本发明方法以正硅酸乙酯和棕榈酸为主原料，其原料配方如下：棕榈酸(相变材料主体)22～43wt％，正硅酸乙酯(纳米SiO2前驱体)23～32wt％，无水乙醇(溶剂)18～24wt％，去离子水16～22wt％。将原料混合均匀后，滴加主催化剂盐酸，再用氨水调节pH值至2～4，加热至50～70℃，并加热搅拌90分钟，使发生溶胶－凝胶反应；然后将所得溶胶置于水浴中陈化得到湿凝胶，烘干后即得棕榈酸/二氧化硅纳米复合相变储能材料。该材料具有良好的储热能力和循环热稳定性，可用于废热余热吸收利用和太阳能利用等领域。
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公开(公告)号：CN101255603A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710171806.7
申请日：2007-12-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种在多孔阳极氧化铝模板上电沉积法制备II－VI族半导体材料纳米线的方法。本发明方法具体步骤为：首先将S粉、Se粉或Te粉溶于HNO3溶液中，搅拌，以形成SO32－、HSeO2+或HTeO2+溶液；配制可溶性镉盐或锌盐溶液，并加入钠盐作为辅助电解质；将上述配制的两种溶液混合，搅拌均匀，形成混合电解液，调节该混合电解液的PH值为1－2.5，搅拌10分钟，形成稳定的电解液溶液；以上述制备的溶液为电解液，在三电极电化学工作站上，以多孔阳极氧化铝模板粘贴的导电玻璃接触为工作电极，钛电极作对电极，以饱和甘汞电极作参比电极，作循环伏安特性，扫描方向从－1V到0V，扫描步长为0.1V/S，建立电沉积时用电流－电压曲线以确定电沉积电位；搅拌下，以上述步骤确定的电沉积电压进行电沉积，直至整个多孔阳极氧化铝模板变成黑色，即得到CdS、CdSe、CdTe或ZnSe半导体材料纳米线。
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公开(公告)号：CN101215467A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810032389.2
申请日：2008-01-08
Applicant: 上海大学
IPC: C09K11/02
Abstract: 本发明涉及一种硅烷包裹II－VI族半导体量子点的方法。该方法包括II－IV族半导体量子点的制备、无机包裹以及硅烷包裹。II－IV族半导体量子点的硅烷包裹的具有步骤为：将壬基酚聚氧乙烯醚溶于环己烷中形成稳定的反相胶束溶液，再将经过无机包裹的II－IV族半导体量子点的氯仿溶液，加入到步骤a的反相胶束溶液中，然后加入γ－巯丙基三甲氧基硅烷；调节pH值范围为8.0－10.0，加入正硅酸乙酯，然后进行功能化，最后得到经功能化的硅烷包裹的II－IV族半导体量子点；本发明方法通过控制量子点硅烷层的厚度来增加量子点在缓冲液中的稳定性，很好的保持其荧光特性，减少量子点的光漂白及其光猝灭效应，还可以通过选用不同的功能化基团来实现量子点的表面功能化修饰，提供量子点水溶后的生物应用基础，通过硅烷处理后的量子点可以使其成为生物荧光标记领域应用的首选。
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