公开(公告)号：CN102610322B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201210055356.6

申请日：2012-03-06

Applicant: 上海大学

Inventor： 蔡传兵 ,  范峰 ,  赵荣 ,  鲁玉明 ,  刘志勇

IPC: H01B12/00 ,  H01B13/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 本发明涉及一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法。利用反应溅射在具有双轴织构取向的Ni-5%W基底上外延生长简化的双层稀土氧化物缓冲层结构，包括（Ⅰ）La2Zr2O7/Ce2Y2O7、（Ⅱ）Y2O3/La2Zr2O7。即第一缓冲层（下缓冲层），第二缓冲层（上缓冲层），形成高温超导涂层导体双层缓冲层结构。反应溅射沉积过程之前，对金属NiW基底进行预处理。在700℃的温度和ArH2气氛中对金属基底进行热处理；抽腔体背底真空至10-5Pa以下；溅射时通入水蒸汽，水分压控制在2.1×10-2Pa；整个腔体的总压强控制在1Pa；温度在800℃；充分预溅射后，功率控制在160W。溅射沉积先进行第一层的沉积，再进行第二层的沉积。最后得到双层稀土氧化物缓冲层。

公开(公告)号：CN102610322A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210055356.6

申请日：2012-03-06

Applicant: 上海大学

Inventor： 蔡传兵 ,  范峰 ,  赵荣 ,  鲁玉明 ,  刘志勇

IPC: H01B12/00 ,  H01B13/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 本发明涉及一种高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法。利用反应溅射在具有双轴织构取向的Ni-5%W基底上外延生长简化的双层稀土氧化物缓冲层结构，包括（Ⅰ）La2Zr2O7/Ce2Y2O7、（Ⅱ）Y2O3/La2Zr2O7。即第一缓冲层（下缓冲层），第二缓冲层（上缓冲层），形成高温超导涂层导体双层缓冲层结构。反应溅射沉积过程之前，对金属NiW基底进行预处理。在700℃的温度和ArH2气氛中对金属基底进行热处理；抽腔体背底真空至10-5Pa以下；溅射时通入水蒸汽，水分压控制在2.1×10-2Pa；整个腔体的总压强控制在1Pa；温度在800℃；充分预溅射后，功率控制在160W。溅射沉积先进行第一层的沉积，再进行第二层的沉积。最后得到双层稀土氧化物缓冲层。

公开(公告)号：CN101352568A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810042602.8

申请日：2008-09-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 吉永华 ,  杨隽 ,  赵荣 ,  翁春春 ,  程慧雯

IPC: A61K38/17 ,  A61P25/08

Abstract: 本发明涉及一种特异性钠通道调制剂BmK IT2的新应用。本发明将特异性钠通道调制剂BmK IT2注入大鼠海马内，研究其对于不同致癫剂诱发的大鼠惊厥反应中的保护作用，从行为学、免疫组织化学、电生理学等方面发现BmK IT2具有明显的惊厥保护作用。该项发明为新型多肽类抗癫药物的筛选提供了依据及候选。