公开(公告)号：CN107857595A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711221439.7

申请日：2017-11-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 施鹰 ,  贾颍飞 ,  谢建军 ,  雷芳 ,  章蕾 ,  丁毛毛

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/626 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/584 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/6025

Abstract: 本发明提供了一种氮化硅陶瓷浆料及其制备方法和制备氮化硅流延膜的应用，将氮化硅粉体、烧结助剂、分散剂和溶剂混合，进行第一次球磨，再加入粘接剂和增塑剂，进行第二次球磨，经真空脱泡后，得到浆料，所述硅氮化硅粉、烧结助剂、分散剂、溶剂、粘结剂和増塑剂之间的质量比为100:(5～15)：(49～67)：(2～3.5)：(10～20)：(10～40)；将浆料进行流延成型，干燥，得到平整、均一、致密且柔顺，利于后期成型加工及烧结的Si3N4素坯。本发明方法得到的氮化硅陶瓷浆料均匀，黏度低，固含量较高，适合流延成型，并且制备工艺简单，易于实现产业化。

公开(公告)号：CN107986794A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201711222078.8

申请日：2017-11-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 施鹰 ,  丁毛毛 ,  汪暾 ,  贾颍飞 ,  谢建军 ,  雷芳 ,  章蕾

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/64 ,  B28B3/00

Abstract: 本发明提供了一种大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，制备的氮化铝陶瓷基板具有高致密度、高热导率、表面平整、翘起度小等优点。此工艺为一次成型增加了生产效率，降低生产成本。本发明采用不同烧结助剂体系有效降低了氮化铝的烧结温度，采用优化的排胶和烧结制度，大大减少了排胶时间和烧结保温时间。制备出了高致密的氮化铝陶瓷。本发明采用特殊的叠片方式有效降低了素坯中的残余应力，结合重物压平处理和使用抛光的氮化硼匣钵，制备出的基板表面平滑且翘曲度小。本发明实现了大尺寸氮化铝陶瓷基板一次成型，无需对陶瓷基板磨平处理，提高了生产效率、节约了生产成本、有助于氮化铝基板在更多领域应用的推广。