公开(公告)号：CN101658786B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200910196534.5

申请日：2009-09-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 张海娇 ,  焦正 ,  徐盼盼 ,  郭会娇 ,  王琳 ,  潘登余 ,  谈志金

IPC: B01J21/18 ,  B01J21/06 ,  B01J37/34 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明涉及一种电子束辐照制备石墨烯基二氧化钛复合光催化剂的方法，属于辐射化学和光催化剂制备技术领域。首先采用现有已知技术方法制取石墨烯，然后在四氟化钛溶液中加入所述的石墨烯粉末，用超声分散后得到悬浮液；然后将该悬浮液置于电子束发生装置中，使其经受一定制量的电子束辐照，辐照剂量为70～280KGy；然后密封后放入60℃的烘箱中反应20小时；经洗涤、干燥，最终制得石墨烯基二氧化钛复合光催化剂。本发明方法所得的石墨烯基二氧化钛复合光催化剂，通过检测证明其具有较高的光催化活性。另外，通过透射电子显微镜(TEM)检测，可看出二氧化钛结晶密集均匀地负载于石墨烯基体上。

公开(公告)号：CN101857264A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010185570.4

申请日：2010-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 张海娇 ,  焦正 ,  王琳 ,  吴若飞 ,  谈志金 ,  施文明

IPC: C01G19/02 ,  C01B33/12

Abstract: 本发明涉及一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法，属无机半导体传感器材料制备工艺技术领域。本发明采用二水氯化亚锡(SnCl2·2H2O)和介孔二氧化硅(MCM-41)为原料，两者的用量按质量比即SiO2∶SnO2＝1∶(0.315～0.629)为计量基准；先按已知现有技术制得介孔二氧化硅(MCM-41)；将SnCl2·2H2O高温熔化后与介孔二氧化硅混合，并在100℃下使其反应；然后在500～700℃下焙烧2～6小时，得到SnO2/MCM-41复合物；然后用1～3mol/L的NaOH溶液或5～10wt％的HF溶液进行处理，搅拌过夜，以除去介孔硅模板；经离心分离、洗涤；最终制得纯相SnO2气敏材料。

公开(公告)号：CN101659440A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910196531.1

申请日：2009-09-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 张海娇 ,  谈志金 ,  刘刚 ,  焦正 ,  何青泉 ,  张春蕾 ,  王丛

IPC: C01G19/02 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种二氧化锡纳米线的制备方法，属无机化学和材料合成技术领域。本发明的特点主要是：采用二水氯化亚锡(SnCl 2 ·2H 2 O)和介孔二氧化硅(SBA-15)为原料，两者的用量按其摩尔质量比即SnO 2 ∶SiO 2 ＝1∶(0.8～2.0)为计量基准；先按已知现有技术方法制取介孔二氧化硅(SBA-15)，该物质作为模板剂参与反应；将SnCl 2 ·2H 2 O的盐酸水溶液与介孔二氧化硅(SBA-15)混合，于100℃下加热，然后在500～800℃下焙烧2～5小时；得到SnO 2 /SBA-15粉末；然后放于HF酸溶液中搅拌过夜，除去SiO 2 ；经离心分离、洗涤，最终得到纯相SnO 2 纳米线。本发明工艺简单，重复性好。所得产物SnO 2 纳米线的直径为7～8nm。

公开(公告)号：CN101658786A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910196534.5

申请日：2009-09-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 张海娇 ,  焦正 ,  徐盼盼 ,  郭会娇 ,  王琳 ,  潘登余 ,  谈志金

IPC: B01J21/18 ,  B01J21/06 ,  B01J37/34 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明涉及一种电子束辐照制备石墨烯基二氧化钛复合光催化剂的方法，属于辐射化学和光催化剂制备技术领域。首先采用现有已知技术方法制取石墨烯，然后在四氟化钛溶液中加入所述的石墨烯粉末，用超声分散后得到悬浮液；然后将该悬浮液置于电子束发生装置中，使其经受一定制量的电子束辐照，辐照剂量为70～280KGy；然后密封后放入60℃的烘箱中反应20小时；经洗涤、干燥，最终制得石墨烯基二氧化钛复合光催化剂。本发明方法所得的石墨烯基二氧化钛复合光催化剂，通过检测证明其具有较高的光催化活性。另外，通过透射电子显微镜(TEM)检测，可看出二氧化钛结晶密集均匀地负载于石墨烯基体上。