公开(公告)号：CN110600159A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910821155.4

申请日：2019-09-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 李乾利 ,  杨道龙 ,  张志军 ,  赵景泰 ,  杨云凌 ,  袁瑞 ,  杨雪纯 ,  周玉

IPC: G21K4/00 ,  C09K11/62 ,  C30B7/10 ,  C30B29/10

Abstract: 本发明公开了一种ZnO-Ga聚合物闪烁转换屏的制备方法，能制备超快ZnO-Ga闪烁转换屏。本发明利用水热反应法制备ZnO-Ga纳米晶，然后主要采用树脂、聚苯乙烯或有机玻璃作为有机体材料，使ZnO-Ga纳米晶通过与有机体材料的结合，制备ZnO-Ga聚合物闪烁体。利用本发明方法获得ZnO-Ga闪烁体没有缺陷发光，慢成分，发光衰减时间在几十纳秒，只有禁带边超快发光，其发光衰减时间达到亚纳秒。同时，其厚度和直径尺寸能根据实际需要方便调控，适应性强，应用广泛。本发明方法不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短，而且具有良好的闪烁发光性能以及能制备出各种尺寸和不同厚度的闪烁转换屏的优势。

公开(公告)号：CN110600159B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201910821155.4

申请日：2019-09-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 李乾利 ,  杨道龙 ,  张志军 ,  赵景泰 ,  杨云凌 ,  袁瑞 ,  杨雪纯 ,  周玉

IPC: G21K4/00 ,  C09K11/62 ,  C30B7/10 ,  C30B29/10

Abstract: 本发明公开了一种ZnO‑Ga聚合物闪烁转换屏的制备方法，能制备超快ZnO‑Ga闪烁转换屏。本发明利用水热反应法制备ZnO‑Ga纳米晶，然后主要采用树脂、聚苯乙烯或有机玻璃作为有机体材料，使ZnO‑Ga纳米晶通过与有机体材料的结合，制备ZnO‑Ga聚合物闪烁体。利用本发明方法获得ZnO‑Ga闪烁体没有缺陷发光，慢成分，发光衰减时间在几十纳秒，只有禁带边超快发光，其发光衰减时间达到亚纳秒。同时，其厚度和直径尺寸能根据实际需要方便调控，适应性强，应用广泛。本发明方法不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短，而且具有良好的闪烁发光性能以及能制备出各种尺寸和不同厚度的闪烁转换屏的优势。