嵌入位点电极的循环伏安曲线模型及数值模拟方法

    公开(公告)号:CN112115578A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202010805021.6

    申请日:2020-08-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种嵌入位点电极的循环伏安曲线模型及数值模拟方法,首先针对电极中存在的可供粒子嵌入的最大数量的物理现象,建立了有空位参与的电极反应模型;建立了有空位存在时的电极动力学Butler‑Volmer方程。同时根据电极和电解液中粒子的扩散方式对应的扩散方程、初始条件和边界条件,使用有限差分方法求解了无量纲化的反应扩散耦合方程并通过计算机编程语言实现,最终得到了嵌入位点电极存在时的循环伏安曲线。本发明提供了一种嵌入位点电极的循环伏安曲线模型及数值模拟方法,得到的循环伏安模拟曲线可以应用于具有嵌入位点电极并且由扫速过快导致的电极表面产生浓度极化现象的实验模拟。

    嵌入位点电极的循环伏安曲线模型及数值模拟方法

    公开(公告)号:CN112115578B

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202010805021.6

    申请日:2020-08-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种嵌入位点电极的循环伏安曲线模型及数值模拟方法,首先针对电极中存在的可供粒子嵌入的最大数量的物理现象,建立了有空位参与的电极反应模型;建立了有空位存在时的电极动力学Butler‑Volmer方程。同时根据电极和电解液中粒子的扩散方式对应的扩散方程、初始条件和边界条件,使用有限差分方法求解了无量纲化的反应扩散耦合方程并通过计算机编程语言实现,最终得到了嵌入位点电极存在时的循环伏安曲线。本发明提供了一种嵌入位点电极的循环伏安曲线模型及数值模拟方法,得到的循环伏安模拟曲线可以应用于具有嵌入位点电极并且由扫速过快导致的电极表面产生浓度极化现象的实验模拟。

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