公开(公告)号：CN119247536A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202410928939.8

申请日：2024-07-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 董艳华 ,  方归 ,  王廷云 ,  文建湘 ,  张小贝 ,  黄怿 ,  董倩妮

IPC: G02B6/02

Abstract: 本发明公开了一种1100～1200 nm波段Pb/Al共掺石英增益光纤及辐照增强方法，纤芯包括最外和最内层的SiO2疏松层以及纤芯中部的掺杂层，SiO2疏松层为高纯度SiO2以及掺杂低浓度高折射率GeO2的材料，掺杂层中掺杂有PbO、PbS、PbSe含Pb化合物的一种或几种，和AlF3、Al2O3等含Al化合物中的一种或两种。纤芯中Pb掺杂浓度范围控制在0.01～1 mol%，Al的掺杂浓度控制在0.5～5 mol%。辐照后处理使用的辐照源为伽马射线，剂量为100～2000 Gy，剂量率为50‑2000 Gy/h。本发明通过Al掺杂改善了负责近红外发光的低价Pb离子的晶体场环境，形成在1100～1200 nm区间内新的Pb/Al活性中心，同时减少Pb/Ge活性中心形成概率，减少有害泵浦竞争与重吸收，并进一步通过伽马射线辐照增加光纤中Pb/Al活性中心的数量从而提升发光强度。