公开(公告)号：CN103165823A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110413449.7

申请日：2011-12-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹进 ,  王立 ,  荣佳玲 ,  张建华

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 一种OLED器件的半透明阴极，该半透明阴极由掺杂碳酸铯的高导电金属制成，高导电金属选自银、铝、铜中的一种或多种。上述OLED器件的半透明阴极，高导电金属中掺杂碳酸铯既可以保证阴极的导电性又可以提高透光率，并且，在制备过程中，碳酸铯分解形成具有较低功函数的金属铯或氧化铯，从而降低了阴极的功函数，有助于电子注入能力的提高。此外，还提供了一种OLED器件。

公开(公告)号：CN103165822A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110413446.3

申请日：2011-12-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 曹进 ,  王立 ,  荣佳玲 ,  张建华

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 一种OLED器件的半透明阳极，该半透明阳极由掺杂高功函数无机半导体材料的高导电金属制成，高功函数无极半导体材料选自氧化钼、氧化钨、五氧化二钒中的一种或多种，高导电金属选自银、铝、铜中的一种或多种。上述OLED器件的半透明阳极，提高了阳极的导电性和空穴注入效果，适于OLED器件的大规模工业应用。此外，还提供了一种OLED器件。