公开(公告)号：CN103173740B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201310057759.9

申请日：2013-02-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  胡建正 ,  张建华

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明公开了一种MOCVD尾气驱动旋转系统，叶片式气动马达驱动石墨大盘同轴转动，马达的气室的进气口和出气口与气动系统管路连通；气动系统管路主要由尾气主管、尾气分流管和尾气辅助分流管组成，气动系统管路主要由尾气主管、尾气分流管和尾气辅助分流管，尾气主管与反应腔的尾气出口连通和马达气室连通，尾气分流管与尾气主管和出气口连通，尾气辅助分流管与马达气室和出气口连通，通过调整气动系统管路阀门开度，控制进入马达的反应腔内部的MOCVD反应尾气流量，通过辅助分流阀门的开度，实现无极调节马达的输出功率和转速，还可通过操纵控制气动系统管路的控制阀实现气马达输出轴的正转和反转，并可瞬时换向，驱动效率高，安全可靠。

公开(公告)号：CN103904108A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410120531.4

申请日：2014-03-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  冯伟 ,  胡建正 ,  张建华

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L33/36 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯电极的GaN基半导体器件，由衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层、石墨烯薄膜层和金属电极结合形成，P型半导体层为含GaN的复合材料层，石墨烯薄膜层设有贯穿的孔道，使金属电极穿过石墨烯薄膜层与P型半导体层固定连接，形成石墨烯薄膜层的焊盘，使石墨烯薄膜层固定结合在P型半导体层上，形成复合电极。本发明采用MO源作为催化剂与碳源的前驱体，在现有GaN外延工艺及设备的情况下实现了低温石墨烯电极的自生长，并可通过对金属图形的控制，进一步改善电流分布，提高了器件的出光与散热性能。

公开(公告)号：CN103904108B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410120531.4

申请日：2014-03-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  冯伟 ,  胡建正 ,  张建华

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯电极的GaN基半导体器件，由衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层、石墨烯薄膜层和金属电极结合形成，P型半导体层为含GaN的复合材料层，石墨烯薄膜层设有贯穿的孔道，使金属电极穿过石墨烯薄膜层与P型半导体层固定连接，形成石墨烯薄膜层的焊盘，使石墨烯薄膜层固定结合在P型半导体层上，形成复合电极。本发明采用MO源作为催化剂与碳源的前驱体，在现有GaN外延工艺及设备的情况下实现了低温石墨烯电极的自生长，并可通过对金属图形的控制，进一步改善电流分布，提高了器件的出光与散热性能。

公开(公告)号：CN103173740A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310057759.9

申请日：2013-02-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  胡建正 ,  张建华

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明公开了一种MOCVD尾气驱动旋转系统，叶片式气动马达驱动石墨大盘同轴转动，马达的气室的进气口和出气口与气动系统管路连通；气动系统管路主要由尾气主管、尾气分流管和尾气辅助分流管组成，气动系统管路主要由尾气主管、尾气分流管和尾气辅助分流管，尾气主管与反应腔的尾气出口连通和马达气室连通，尾气分流管与尾气主管和出气口连通，尾气辅助分流管与马达气室和出气口连通，通过调整气动系统管路阀门开度，控制进入马达的反应腔内部的MOCVD反应尾气流量，通过辅助分流阀门的开度，实现无极调节马达的输出功率和转速，还可通过操纵控制气动系统管路的控制阀实现气马达输出轴的正转和反转，并可瞬时换向，驱动效率高，安全可靠。

公开(公告)号：CN202610321U

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201220254460.3

申请日：2012-06-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  张建华 ,  胡建正 ,  李刚

IPC: C23C16/44

Abstract: 本实用新型公开了一种垂直喷淋式MOCVD反应器出口系统。该反应器进口采用垂直喷淋式来保证进气的均匀性，出口系统由石墨大盘上晶片间隙处有规则排列的许多小出口组成，反应尾气经由小出口到达石墨盘下方后经由石墨盘下表面到达反应器的周向或中心处的总出口。此反应器出口系统在充分利用垂直喷淋式反应器入口均匀性的基础上，实现了喷淋头中心处和边缘处喷入的反应气体尾气流经距离的一致性，从而在无旋转装置的情况下保证了基片沿径向的沉积均匀性。另外，反应尾气流经石墨盘的下表面，一方面减少了热涡旋效应对反应气流的负面影响，另一方面其对石墨盘的加热也提高了热利用效率。