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公开(公告)号：CN101708833B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910198198.8
申请日：2009-11-03
Applicant: 上海大学
IPC: C01B25/30
Abstract: 本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法，它主是要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法，属无机晶体材料制备工技术领域。本发明方法主要过程如下：将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶，剩下部分切取两段，按既定角度方向磨平，磨成大小相同的两段晶体，将磨出的大小相同的对应面相对接，再把上下两顶磨平；然后再把欲形成的孪晶界面在接触面沿对角线打磨，并进行抛光；然后将两段晶体的两锥面接触，使两锥面处在一条直线上；以YZ平为底竖直粘贴到有机玻璃板上；然后把粘好的晶体放入KDP饱和溶液中，控制生长条件，使晶体在其中生长，最后生成两共轴成40°的KDP孪晶。
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公开(公告)号：CN101708833A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910198198.8
申请日：2009-11-03
Applicant: 上海大学
IPC: C01B25/30
Abstract: 本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法，它主是要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法，属无机晶体材料制备工技术领域。本发明方法主要过程如下：将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶，剩下部分切取两段，按既定角度方向磨平，磨成大小相同的两段晶体，将磨出的大小相同的对应面相对接，再把上下两顶磨平；然后再把欲形成的孪晶界面在接触面沿对角线打磨，并进行抛光；然后将两段晶体的两锥面接触，使两锥面处在一条直线上；以YZ平为底竖直粘贴到有机玻璃板上；然后把粘好的晶体放入KDP饱和溶液中，控制生长条件，使晶体在其中生长，最后生成两共轴成40°的KDP孪晶。
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公开(公告)号：CN102433584B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201110449814.X
申请日：2011-12-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种磷酸二氢钾（KDP）的结合制得孪晶的方法，它主要是采用晶体抛光后再进行热处理，通过分子扩散使两块大小相同晶体结合的方法，属无机晶体材料制备工艺技术领域。本发明方法主要过程如下：将外形完整的磷酸二氢钾（KDP）单晶切掉两锥顶，剩下部分切取两段，按既定角度方向粗磨，然后用细砂纸磨掉多余分部分，磨成长方体形状，将欲对接的两个面抛光并相对接；然后将处理好的两块晶体（提供一定的压强）放进炉中进行适当的加热；最后适当的时间取出晶体，并且两块晶体结合在一起，两光轴成一定的角度。然后采用磷酸二氢钾（KDP）饱和溶液降温法来制得磷酸二钾孪晶。
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公开(公告)号：CN102433584A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110449814.X
申请日：2011-12-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种磷酸二氢钾（KDP）的结合制得孪晶的方法，它主要是采用晶体抛光后再进行热处理，通过分子扩散使两块大小相同晶体结合的方法，属无机晶体材料制备工艺技术领域。本发明方法主要过程如下：将外形完整的磷酸二氢钾（KDP）单晶切掉两锥顶，剩下部分切取两段，按既定角度方向粗磨，然后用细砂纸磨掉多余分部分，磨成长方体形状，将欲对接的两个面抛光并相对接；然后将处理好的两块晶体（提供一定的压强）放进炉中进行适当的加热；最后适当的时间取出晶体，并且两块晶体结合在一起，两光轴成一定的角度。然后采用磷酸二氢钾（KDP）饱和溶液降温法来制得磷酸二钾孪晶。
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