公开(公告)号：CN116288644A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211099422.X

申请日：2022-09-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 巫金波 ,  石博日 ,  王萍阳 ,  薛厂 ,  张萌颖 ,  温维佳

IPC: C30B7/06 ,  B05D5/00 ,  B05D7/24 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58 ,  C23C14/12 ,  C30B29/12

Abstract: 本发明提供一种基于分裂环图案化晶膜阵列的制备方法及一种基于分裂环图案的溶液定向传输方法。制备方法包括：步骤1：提供衬底；步骤2：在衬底上通过蒸镀形成疏液层；步骤3：使用脉冲激光刻蚀疏液层，在疏液层上形成分裂环阵列结构的亲液图案；步骤4：将配置好的可通过溶液法生长晶体的溶液涂布在疏液层上，经过两次去润湿过程，实现各个分裂环单元上的液滴向分裂环内部的定向传输，最终在各个分裂环单元内形成分裂环状微液滴；步骤5：对衬底进行加热，形成致密的基于分裂环图案化晶膜阵列。本发明通过溶液法高通量低消耗地合成出具有高致密度的分裂环型薄膜阵列，工艺简单，成本低廉，并且成膜质量高。

公开(公告)号：CN115480647A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202211275739.4

申请日：2022-10-18

Applicant: 上海大学

Inventor： 巫金波 ,  石博日 ,  王萍阳 ,  薛厂 ,  张萌颖 ,  温维佳

IPC: G06F3/01 ,  G06F3/042 ,  G06F3/04883

Abstract: 本发明提供一种基于光电传感器阵列的非接触式交互系统，包括：光电传感器阵列，光电传感器阵列包括：透明基底；形成在透明基底上的导电层；形成在导电层上的图案化限制层，用于形成光电活性材料图案阵列；形成在图案化限制层上的光电活性材料图案阵列，其中阵列中的每个图案单元在外置偏压的驱动下形成一个微型光电传感器单元；面光源，面光源位于所述光电传感器阵列的基底背面；反射物，反射物可移动的位于光电传感器阵列的基底正面。该交互系统通过利用光电传感器阵列的高响应度及快响应速度特性使得交互界面快速跟踪运动物体的信号，并通过来自反射物对面光源进行光反射实现光电流增长，从而实现响应灵敏的无接触式三维人机交互。

公开(公告)号：CN115566103A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211282445.4

申请日：2022-10-18

Applicant: 上海大学

Inventor： 巫金波 ,  石博日 ,  王萍阳 ,  薛厂 ,  张萌颖 ,  温维佳

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供一种基于激光刻蚀的横向结构双电极器件阵列的制备方法，利用脉冲激光在刻蚀过程中的光热效应累积，通过脉冲激光刻蚀导电层形成绝缘沟道，同时脉冲激光束附近产生的光热效应破坏沟道两侧的疏液层从而降低其疏液效果，形成热影响区。当将可通过溶液法生长晶体的溶液涂布在基底上时，热影响区的存在保证了溶液可以润湿并完全覆盖激光刻蚀产生的沟道。最后经过沉积形成的晶膜可以横向跨越沟道两侧，形成横向结构的双电极器件。根据本发明的制备方法无需分别进行活性材料以及电极材料的阵列化制备，仅通过激光刻蚀一种图案化过程即可完成，实现大面积、高通量、阵列化横向结构双电极器件的制备。