公开(公告)号：CN108767106A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810544025.6

申请日：2018-05-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 程晋荣 ,  李红芳 ,  王苏苏 ,  陈建国

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/314

CPC classification number: H01L41/1876 ,  H01L41/314

Abstract: 本发明涉及一种在不锈钢衬底上制备出（110）择优取向锆钛酸铅基反铁电薄膜的方法。本发明采用溶胶凝胶法，选用贱金属不锈钢为衬底，在马弗炉中热处理PLZT薄膜样品。直接沉积在不锈钢衬底上的PLZT薄膜为随机取向，而当LNO缓冲层引入后，PLZT薄膜是（110）择优取向，（110）取向度达79%，具有典型的“倾斜型”双电滞回线，电学性能得到了提高。在1KHz下，介电常数从183提升到396，极化强度从14.5µC/cm2提升到27µC/cm2，在300 kV/cm的外加电场下，（110）择优取向的薄膜样品的漏电流密度为2×10‑8 A/cm2。