公开(公告)号：CN114972185A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210408314.X

申请日：2022-04-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 张统一 ,  曹斌 ,  冯振杰 ,  肖祁陵 ,  王子涵 ,  张茜 ,  王家豪

IPC: G06T7/00 ,  G06T5/00 ,  G06V10/762 ,  G01N23/207

Abstract: 本发明公开了一种基于统计建模的多晶粉末X光衍射图谱的全谱线拟合方法：粉末X光衍射图期望最大化算法全谱线拟合方法(Whole Pattern Fitting of Powder XRD byExpectation Maximum algorithm,简称WPEM)。可用于多晶粉末X光衍射图的全谱拟合,从中提取各衍射峰的峰位、峰宽、峰形、积分衍射强度等晶体结构信息。实现了“统计背底计算”、“组分晶格常数的精确测定”、“组分体积分数的定量测定”等功能。本发明技术能够减少或者消除由衍射几何因素形成的不对称峰形的噪声，可以对混合多晶系的X光衍射图进行全谱线分解和拟合，精确和定量测定各个晶系晶格常数、峰形及各个晶系体积分数。与主流的商用拟合软件Fullprof,TOPAS等相比,显示出更优越的拟合精度。

公开(公告)号：CN114972185B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202210408314.X

申请日：2022-04-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 张统一 ,  曹斌 ,  冯振杰 ,  肖祁陵 ,  王子涵 ,  张茜 ,  王家豪

IPC: G06T7/00 ,  G06T5/73 ,  G06V10/762 ,  G01N23/207

Abstract: 本发明公开了一种基于统计建模的多晶粉末X光衍射图谱的全谱线拟合方法：粉末X光衍射图期望最大化算法全谱线拟合方法(Whole Pattern Fitting of Powder XRD byExpectation Maximum algorithm,简称WPEM)。可用于多晶粉末X光衍射图的全谱拟合,从中提取各衍射峰的峰位、峰宽、峰形、积分衍射强度等晶体结构信息。实现了“统计背底计算”、“组分晶格常数的精确测定”、“组分体积分数的定量测定”等功能。本发明技术能够减少或者消除由衍射几何因素形成的不对称峰形的噪声，可以对混合多晶系的X光衍射图进行全谱线分解和拟合，精确和定量测定各个晶系晶格常数、峰形及各个晶系体积分数。与主流的商用拟合软件Fullprof,TOPAS等相比,显示出更优越的拟合精度。

公开(公告)号：CN118602967A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410565937.7

申请日：2024-05-09

Applicant: 上海大学

Inventor： 张统一 ,  朱佳奇 ,  王子涵 ,  孙升

IPC: G01B11/16 ,  H01M10/42 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明提供一种钠电正极材料电化学循环过程中CEI膜的应变确定方法，涉及电池测量技术领域，其包括：制备XRD钠电正极材料极片，将XRD钠电正极材料极片作为正极，将钠片作为负极构建XRD原位电池，并进行原位XRD实验，得到循环过程中各个相的相对含量；制备无基底极片，将无基底极片作为正极，将钠片作为负极构建应变原位电池，并进行DIC实验，得到循环过程中的充放电比容量和应变；基于循环过程中的充放电比容量、应变和各个相的相对含量获得循环过程生成CEI膜消耗Na+数量、CEI膜的应变和Na+在CEI膜中的偏摩尔体积。本发明将DIC技术与原位XRD技术结合起来分析，能够准确量化分析电极中的应变大小。

公开(公告)号：CN113483686B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202110551286.2

申请日：2021-05-20

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐泽宇 ,  张统一 ,  孙升 ,  庄晓强 ,  王子涵

IPC: G01B11/16 ,  G01B11/02

Abstract: 本发明涉及一种电极材料测量领域，尤其是涉及一种电极材料应变测量方法及装置。所述如下：光源发出光线至所述电池的电极上，所述待测电池的电极表面预先被溅射金膜，所述金膜厚度为9‑11nm，所述金膜被溅射速度为0.2nm/s，所述待测量电池与所述光源被设置在所述恒温箱内，且所述待测量电池及所述光源均与所述恒温箱内壁不接触，所述光源中部具有一漏光孔；CCD相机采集通过所述漏光孔进入相机镜筒的光，拍摄电池电极表面的散斑图像；处理装置对所述CCD相机的拍摄图像进行处理，以获取所述待测量电池的电极应变参数。本例实施时，在电极表面溅射了金膜形成了稳定存在且随机分布的散斑图案，可在电化学环境中稳定存在，使电极应变过程中产生的稳定的散斑图案。

公开(公告)号：CN113483686A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110551286.2

申请日：2021-05-20

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐泽宇 ,  张统一 ,  孙升 ,  庄晓强 ,  王子涵

IPC: G01B11/16 ,  G01B11/02

Abstract: 本发明涉及一种电极材料测量领域，尤其是涉及一种电极材料应变测量方法及装置。所述如下：光源发出光线至所述电池的电极上，所述待测电池的电极表面预先被溅射金膜，所述金膜厚度为9‑11nm，所述金膜被溅射速度为0.2nm/s，所述待测量电池与所述光源被设置在所述恒温箱内，且所述待测量电池及所述光源均与所述恒温箱内壁不接触，所述光源中部具有一漏光孔；CCD相机采集通过所述漏光孔进入相机镜筒的光，拍摄电池电极表面的散斑图像；处理装置对所述CCD相机的拍摄图像进行处理，以获取所述待测量电池的电极应变参数。本例实施时，在电极表面溅射了金膜形成了稳定存在且随机分布的散斑图案，可在电化学环境中稳定存在，使电极应变过程中产生的稳定的散斑图案。