公开(公告)号：CN105624629A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610176125.9

申请日：2016-03-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 高彦峰 ,  万冬云 ,  熊平 ,  郭贝贝

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/083 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明提供一种通过高价金属阳离子（M）掺杂制备的非制冷焦平面红外探测器用的高性能B相VO2热敏薄膜及其制备方法。具有优异热敏性能的二氧化钒（VO2）薄膜材料是非制冷微测辐射热计红外探测器首选的热敏电阻材料。目前使用的VO2(B)相薄膜具有电阻太大（达到MΩ级），TCR较小（小于2%/K）等不利因素，限制了VO2(B)相薄膜的应用。本发明拟通过高价金属阳离子掺杂（包括均匀掺杂和梯度掺杂），利用高价金属阳离子强的还原性和其取代V后贡献的多余电子提高膜的导电性。本发明的热敏薄膜具有较高的室温TCR（-2 %/K～-5 %/K）和较低的方块电阻（10 kΩ/□～60 kΩ/□），可有效地提高非制冷焦平面红外探测器的灵敏度，在红外探测与成像器件领域具有广泛的应用前景。