一种抑制Micro-LED键合过程中翘曲的薄膜结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN119546004A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411495536.5

    申请日:2024-10-25

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开一种抑制Micro‑LED键合过程中翘曲的薄膜结构及其制备方法,涉及显示封装技术领域。所述薄膜结构包括:在芯片和基板的键合过程中,将目标材料薄膜沉积在蓝宝石衬底和Si基板的背面;所述目标材料薄膜的热膨胀系数介于蓝宝石和Si之间。本发明能够缓解在倒装键合的过程中由于蓝宝石和Si的热膨胀系数不匹配引起的翘曲。

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