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公开(公告)号:CN113292329A
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN202110698422.0
申请日:2021-06-23
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种铁酸铋‑钛酸钡二元高温压电陶瓷材料及其制备方法和应用,属于高温压电材料技术领域。本发明的方法使用颗粒尺寸相差700nm~1.2μm的铁酸铋‑钛酸钡粗粉与铁酸铋‑钛酸钡细粉作为原料,使用不同粒径的混合粉末制备铁酸铋‑钛酸钡,由于大颗粒与小颗粒之间接触时表面张力大于相同颗粒之间的表面张力,更有利于晶粒的生长,使得陶瓷材料的相对密度升高、孔隙率减少,进而提高陶瓷材料的介电常数和压电系数,提升介电性能,介电损耗tanδ降低,陶瓷的绝缘性能提高,漏电流减少,具有优异的压电性能。实施例的结果表明,本发明制备的铁酸铋‑钛酸钡二元高温压电陶瓷材料的压电常数达到200pC/N。
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公开(公告)号:CN113292329B
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202110698422.0
申请日:2021-06-23
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种铁酸铋‑钛酸钡二元高温压电陶瓷材料及其制备方法和应用,属于高温压电材料技术领域。本发明的方法使用颗粒尺寸相差700nm~1.2μm的铁酸铋‑钛酸钡粗粉与铁酸铋‑钛酸钡细粉作为原料,使用不同粒径的混合粉末制备铁酸铋‑钛酸钡,由于大颗粒与小颗粒之间接触时表面张力大于相同颗粒之间的表面张力,更有利于晶粒的生长,使得陶瓷材料的相对密度升高、孔隙率减少,进而提高陶瓷材料的介电常数和压电系数,提升介电性能,介电损耗tanδ降低,陶瓷的绝缘性能提高,漏电流减少,具有优异的压电性能。实施例的结果表明,本发明制备的铁酸铋‑钛酸钡二元高温压电陶瓷材料的压电常数达到200pC/N。
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公开(公告)号:CN113248247A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202110698411.2
申请日:2021-06-23
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/472 , C04B35/468 , C04B35/462
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域,尤其涉及一种三元压电陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供的三元压电陶瓷的化学组成为:(1‑x‑y)BiFeO3‑xPbTiO3‑yBa(HfmTi1‑m)O3‑zMnO2。本发明通过引入Hf离子,可以大幅度提高三元压电陶瓷的压电性能,离子半径较大的Hf离子取代了离子半径较小的钛离子使得四方畸变度减小。氧化锰掺杂相较于现有技术的碳酸锰掺杂具有更高的体密度和电阻率,从而使的氧化锰掺杂的样品具有更高的压电性能。
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