铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷及其热等静压烧结制备方法

    公开(公告)号:CN107555977A

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201710573906.6

    申请日:2017-07-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷及其热等静压烧结制备方法,利用干压成型制备LSO:Ce素坯,再将素坯在1550-1750℃的温度下烧结获得相对密度大于95%的陶瓷烧结体,随后再将LSO:Ce陶瓷烧结体进行热等静压(HIP)后处理获得相对密度高达99.8%的高致密陶瓷,最后经过退火后获得半透明的LSO:Ce闪烁陶瓷。该LSO:Ce闪烁陶瓷的平均晶粒尺寸为1.65μm,在发光波长(420nm)处的总透过率可达到58%,其绝对光产额高达21000photons/MeV,可用作X射线CT或γ射线PET扫描成像仪中的探测器材料。

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