一种半模基片集成波导双工器

    公开(公告)号:CN106025463A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610386601.X

    申请日:2016-06-04

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: H01P1/207

    Abstract: 本发明公开了一种半模基片集成波导双工器,包括介质板层,还包括介质板层正面的上金属镀层以及介质板层反面的下金属镀层;所述上金属镀层有输入端口和两个输出端口,输入输出采用50Ω微带线直接耦合馈电;所述上金属镀层上设有接地金属通孔。本发明双工器采用HMSIW结构易于集成,又具备了功率容量大、高Q、低损耗以及适用频率高等特点。相较一般SIW结构,HMSIW减小约一半尺寸,大大地减小了双工器的体积。

    基于双层SIW的双通带微波滤波器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105552487A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510941640.7

    申请日:2015-12-16

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: H01P1/20 H01P1/207 H01P1/208

    Abstract: 本发明涉及一种基于双层SIW的双通带微波滤波器,包括上金属镀层、上介质板层、中金属镀层、下介质板层以及下金属镀层,上金属镀层和上介质板层组成上层基片集成波导,下介质板层和下金属镀层组成下层基片集成波导,在上介质板层和下介质板层之间设置有中金属镀层,使得上下两层基片集成波导共用中金属镀层;上层基片集成波导的中间设有两个耦合的方形上层SIW谐振腔,两个上层SIW谐振腔由两腔体间的感性耦合窗口连接,上金属镀层两端连接有共面波导式的输入输出端口;下层基片集成波导中间设有两个方形下层SIW谐振腔,两个下层SIW谐振腔之间不耦合;中金属镀层上设有四个磁性耦合窗口,两个下层SIW谐振腔通过四个磁性耦合窗口与两个上层SIW谐振腔耦合。

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