公开(公告)号：CN106449815A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610653541.3

申请日：2016-08-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 金琦 ,  黄璐 ,  瞿兴灵 ,  杨煌

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/202 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/075

Abstract: 本发明公开了一种基于非晶硅薄膜的异质结太阳能电池器件的制备方法，通过等离子体化学气相沉积法在涂了均匀银浆并退火后的单晶硅表面上沉积两层分别为i型和p型的非晶硅薄膜，然后用磁控溅射的方法制备阳极导电电极层。本发明通过制造的非晶—晶体异质结来有效增强光生载流子的传输与收集，同时通过沉积i型非晶硅薄膜，作为此种异质结薄膜的缓冲薄层，以达到收集载流子、提高光学转换效率的目的。本发明的基于非晶硅薄膜的异质结太阳能电池器件，具有大面积、高效率、低价格、稳定性好的优点，可应用于用于发电的光伏器件上。