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公开(公告)号：CN110265540B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201910465800.3
申请日：2019-05-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种钡铜碲基p型热电材料及其制备方法。本发明涉及由以下通式表示的化合物：Ba1‑xRxCuaTe2‑zQz,其中R为元素Ca或Sr,X为R掺杂的实际组分，范围在0≤x≤0.1；a为元素Cu的实际组分，范围在1.90≤a≤2.10；Q为元素Se和Cl中的至少一种，z为Q掺杂的实际组分，范围在0≤z≤0.3。采用真空或惰性气氛下的固相合成，快速等离子烧结（SPS）或热压烧结致密陶瓷样品的制备方法。制得的所得钡铜碲基纯样ZT值达到0.85，而微量掺杂元素的钡铜碲基热电性能进一步提高，可将其应用于热电转换发电或制冷领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109682847B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201811461910.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20008 , G01N23/20033 , G01N23/20058
Abstract: 本发明公开了一种组合材料芯片的高通量材料合成及同步辐射光源高通量表征方法，利用化学组合材料芯片的制备方法，与同步辐射光源X射线衍射站高通量表征相结合的高通量材料制备与表征综合系统。采用的原料可以是金属醇盐，硝酸盐，醋酸盐，氯化物。该方法可以利用化学法一次制备上百甚至上千的样品而且样品数量还可以根据实验需求自行调控。同步辐射X射线衍射线站高通量表征自动化平台可以对材料的晶体结构进行快速、高效地测试与解析。将化学组合材料芯片法与高通量表征的自动平台相结合构成的制备与表征系统，不仅可以极大的提高无机材料的制备与表征速度，还可以提高同步辐射光源的利用效率。
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公开(公告)号：CN112624063A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011505480.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本申请涉及材料科学领域，提供了一种N型铜掺杂二锑化三镁合金热电材料及其制备方法。其中，N型铜掺杂二锑化三镁合金热电材料的化学通式为Mg3.4Sb1.5Bi0.49Te0.01+xCu，x为掺杂元素Cu的实际组分，范围在0.001≤x≤0.006。本申请采用了惰性气氛球磨方法制备粉体样品，放电等离子体烧结制备块体样品的方法，通过Cu掺杂引入电子，实现电导率和热导率的协同调控，制备的N型铜掺杂二锑化三镁合金最高热电优zT达到1.62。本申请的方法操作简单，可适用于其他热电材料，为提升热电优值提供了一种新方案。
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公开(公告)号：CN112410637A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011130773.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土‑钴基金属间化合物磁热材料，化学通式为RE2Co3‑xSix，其中RE为镧系元素中除Pm外的元素以及元素Y中的至少一种，0.04≤x≤0.33。本发明RE2Co3‑xSix制备方法，包括原料准备、合金熔炼和热处理过程。本发明采用低压惰性气氛下的电弧熔融法合成制成块体，经一定温度保温退火一段时间后制得类似La2Co3的Cmca空间群结构的RE2Co3‑xSix化合物。许多种RE元素单纯采用RE与Co作为原料，利用本发明方法无法制得的类La2Co3结构的化合物，而只能得到类LaCo2结构的化合物。而本发明方法掺杂Si后虽使磁热性能有所损失但可以制得La2Co3结构的化合物，而控制掺杂元素的种类比例可以降低磁热性能的损失，可将其应用于室温磁热制冷领域。
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公开(公告)号：CN110265540A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910465800.3
申请日：2019-05-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种钡铜碲基p型热电材料及其制备方法。本发明涉及由以下通式表示的化合物：Ba1-xRxCuaTe2-zQz,其中R为元素Ca或Sr,X为R掺杂的实际组分，范围在0≤x≤0.1；a为元素Cu的实际组分，范围在1.90≤a≤2.10；Q为元素Se和Cl中的至少一种，z为Q掺杂的实际组分，范围在0≤z≤0.3。采用真空或惰性气氛下的固相合成，快速等离子烧结（SPS）或热压烧结致密陶瓷样品的制备方法。制得的所得钡铜碲基纯样ZT值达到0.85，而微量掺杂元素的钡铜碲基热电性能进一步提高，可将其应用于热电转换发电或制冷领域。
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公开(公告)号：CN109682847A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811461910.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 上海大学
IPC: G01N23/20008 , G01N23/20033 , G01N23/20058
CPC classification number: G01N23/20008 , G01N23/20033 , G01N23/20058
Abstract: 本发明公开了一种组合材料芯片的高通量材料合成及同步辐射光源高通量表征方法，利用化学组合材料芯片的制备方法，与同步辐射光源X射线衍射站高通量表征相结合的高通量材料制备与表征综合系统。采用的原料可以是金属醇盐，硝酸盐，醋酸盐，氯化物。该方法可以利用化学法一次制备上百甚至上千的样品而且样品数量还可以根据实验需求自行调控。同步辐射X射线衍射线站高通量表征自动化平台可以对材料的晶体结构进行快速、高效地测试与解析。将化学组合材料芯片法与高通量表征的自动平台相结合构成的制备与表征系统，不仅可以极大的提高无机材料的制备与表征速度，还可以提高同步辐射光源的利用效率。
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