一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN119265697A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411546178.6

    申请日:2024-10-31

    Applicant: 上海大学

    Inventor: 赵莉娟 杜宇超

    Abstract: 本发明提供了一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法,涉及半导体材料制造工艺技术领域。所述氧化镓薄膜的制备方法包括以下步骤:在稀有气体气氛下,在衬底表面采用氧化镓作为靶材进行磁控溅射,得到带有低氧含量氧化镓缓冲层的衬底;在氧气及稀有气体的混合气氛下,在带有低氧含量氧化镓缓冲层的衬底的低氧含量氧化镓缓冲层的表面采用氧化镓作为靶材进行磁控溅射,得到氧化镓薄膜;对氧化镓薄膜进行退火处理,得到基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜。本发明先在衬底上制备低氧含量的氧化镓缓冲层再制备氧化镓薄膜,减少了在高温退火过程中热失配和晶格失配对氧化镓薄膜结晶性能的影响。

    一种铁掺杂氧化镓单晶偏振拉曼光谱的测试分析方法

    公开(公告)号:CN118190913A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410530487.8

    申请日:2024-04-29

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种铁掺杂氧化镓单晶偏振拉曼光谱的测试分析方法,包括:分别将测试样品放置于拉曼光谱系统中的样品台上,通过固定第一偏振片调整拉曼光谱系统的入射光路,并通过第二偏振片调整拉曼光谱系统的散射光路;连续调整第二偏振片,获取不同偏振角度下的拉曼光谱,对拉曼光谱中的拉曼峰进行比对,并标注对应的振动模式,其中偏振角度为第一偏振片与第二偏振片的透振方向之间的夹角;根据拉曼峰强度及偏振角度,绘制不同振动模式的极坐标图;对待测样品和未掺杂样品对应的拉曼光谱与极坐标图进行分析对比,得到测试分析结果以实现对待测样品是否为铁掺杂氧化镓单晶的检测。

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