公开(公告)号：CN119923054A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510058721.6

申请日：2025-01-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 张建华 ,  殷录桥 ,  嵇啸啸 ,  李炳均

IPC: H10H29/14 ,  H10H20/857 ,  H10H20/84 ,  H10H20/831

Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED晶圆键合方法，属于显示技术领域，包括以下步骤：步骤1：准备外延片和驱动基板，外延片包括衬底层和像素层；步骤2：在像素层上蒸镀金属层作为p电极，驱动基板上蒸镀键合层；步骤3：金属层与键合层键合，剥离衬底层；步骤4：刻蚀Micro‑LED像素；步骤5：蒸镀金属Ti，通过光电化学刻蚀对Micro‑LED像素的侧壁进行修复；步骤6：去除金属Ti，蒸镀第一钝化层；步骤7：开设第一通孔；步骤8：刻蚀掉键合层中的金属材质；步骤9：蒸镀第二钝化层；步骤10：蒸镀互联层，互联层与驱动基板互联作为n电极。利用光电化学刻蚀对Micro‑LED像素侧壁进行修复和修正，可避免全程采用干法刻蚀方法会可能出现的深度控制难、过度损伤、不均匀性以及热损伤等问题。