公开(公告)号：CN101074491A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710038741.9

申请日：2007-03-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 程晋荣 ,  朱伟诚 ,  孟中岩 ,  俞圣雯

IPC: C30B29/32

Abstract: 本发明涉及一种在金属钛基片衬底上生长钛酸锶钡薄膜的方法，属铁电性能材料制备工艺方法技术领域。本发明方法的特点是在金属钛基片衬底上，通过引入镍酸镧缓冲层，即在金属钛和钛酸锶钡薄膜间引入镍酸镧中间缓冲层，且用溶胶－凝胶法在大气环境下生长介电性能良好的钛酸锶钡薄膜。本发明方去的主要步骤为：(1)钛基片的预处理；(2)镍酸镧溶胶和钛酸锶钡溶胶的制备；(3)旋转法甩胶成膜、(4)热处理，热处理温度范围为100～720℃，于700～720℃时为晶化温度，制得具有钙钛矿晶相结构的薄膜。本发明方法制得的Ti/LNO/BST复合结构的材料具有优异的介电性能，可作为压控调谐微波器件中的元件应用。

公开(公告)号：CN101074491B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200710038741.9

申请日：2007-03-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 程晋荣 ,  朱伟诚 ,  孟中岩 ,  俞圣雯

IPC: C30B29/32

Abstract: 本发明涉及一种在金属钛基片衬底上生长钛酸锶钡薄膜的方法，属铁电性能材料制备工艺方法技术领域。本发明方法的特点是在金属钛基片衬底上，通过引入镍酸镧缓冲层，即在金属钛和钛酸锶钡薄膜间引入镍酸镧中间缓冲层，且用溶胶-凝胶法在大气环境下生长介电性能良好的钛酸锶钡薄膜。本发明方去的主要步骤为：(1)钛基片的预处理；(2)镍酸镧溶胶和钛酸锶钡溶胶的制备；(3)旋转法甩胶成膜、(4)热处理，热处理温度范围为100～720℃，于700～720℃时为晶化温度，制得具有钙钛矿晶相结构的薄膜。本发明方法制得的Ti/LNO/BST复合结构的材料具有优异的介电性能，可作为压控调谐微波器件中的元件应用。