铁酸镧薄膜光电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN105761940A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201610230735.2

    申请日:2016-04-14

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: H01G9/2027

    Abstract: 本发明公开了一种铁酸镧薄膜光电极及其制备方法。该铁酸镧薄膜光电极,由导电基底和铁酸镧薄膜电极层构成,所述的铁酸镧薄膜电极层均匀地涂覆于导电基底上,所述的铁酸镧薄膜电极层的厚度为700~750nm。本发明具有制备工艺简单,成本低廉,重复性好等优点。本发明制备的铁酸镧薄膜光电极具有良好的稳定性和良好的光电化学性能,能够在光电催化产氢领域取得更好的效果。

    热点尺寸小于5nm的SERS活性基底的制备方法

    公开(公告)号:CN106645077B

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201510709422.0

    申请日:2015-10-28

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种“热点”尺寸小于5nm的SERS活性基底制备方法。先在高温30℃条件下进行第一次扩孔,制备出孔径为83~87nm的UTAM,随后进行在低温13℃~20℃条件下进行第二次扩孔,制备出孔径为95~97nm的UTAM,随后进行金属真空热阻沉积,并去除UTAM,制得“热点”尺寸小于5nm的高增强SERS活性基底。本发明提供的“热点”尺寸小于5nm的金属纳米点阵SERS基底形貌均一,结构可控,拉曼信号增强显著,增强因子可达1010,且增强信号均一稳定。本发明方法通过高低温阶梯扩孔,结合真空热阻沉积,可实现极小热点尺寸的灵活调控,制备成本低,便于SERS技术在检测领域应用。

    镍基上金纳米颗粒阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN106011969B

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201610406577.1

    申请日:2016-06-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种镍基上金纳米颗粒阵列及其制备方法,该阵列以镍基底材料上排列有金纳米颗粒阵列;所述金纳米颗粒阵列是不连续型的,其金纳米颗粒的粒径为30~72nm,颗粒的中心距为98~102 nm;或者所述金纳米颗粒阵列是连续型的,其金纳米颗粒的粒径为30~100 nm,颗粒的中心距为98~102nm。本发明提供的方法比较灵活,制备得到的镍基上金纳米颗粒阵列中的金颗粒既可以是不连续的也可以使连续的。并且所用的AAO模板可以重复使用。同时兼具操作简单,成本低,能获得大面积高度有序的金纳米颗粒阵列的优点,有望应用于太阳能电池、光电催化、传感器、信息存储等。

    镍锡合金纳米孔阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN105761943B

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201610230558.8

    申请日:2016-04-14

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明公开了一种镍锡合金纳米孔阵列及其制备方法。本发明是基于大孔阳极氧化铝模板的结构特性制备得到大面积有序、可控的镍锡合金纳米孔阵列。所述的纳米孔的直径为200~400nm,长度1~6μm。本发明制备的镍锡合金纳米孔阵列具有大的比表面积,垂直的孔道结构、高的导电性以及结构稳定性。本发明方法,可以根据模板的结构参数调节镍锡合金纳米孔阵列的结构参数,同时还可以实现不同金属纳米孔阵列的制备,具有制备工艺简单,成本低廉,重复性好等优点。

    介孔α-Fe2O3与纳米金叠层光电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN105870213A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610230560.5

    申请日:2016-04-14

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: H01L31/022425 B82Y30/00 B82Y40/00

    Abstract: 本发明公开了一种介孔α?Fe2O3与纳米金叠层光电极及其制备方法,介孔α?Fe2O3与纳米金叠层光电极是以不锈钢片为导电基底,由介孔状纳米α?Fe2O3层与纳米金层叠加形成的厚度为600~800nm的光吸收层均匀涂覆于不锈钢片,形成高效率的光电极。一种介孔α?Fe2O3与纳米金叠层光电极制备方法主要涉及用凝胶溶胶法制备介孔状的纳米α?Fe2O3层并与纳米金层相叠加,经高温退火后形成介孔α?Fe2O3与纳米金叠层光电极。本发明方法原料廉价易得,整个光电极制备过程快捷,易于大批量制备,且得到的介孔α?Fe2O3与纳米金叠层光电极与单纯的介孔α?Fe2O3光电极相比,光电流增大了38%。

    一种基于新型高低温阶梯扩孔法的“热点”尺寸小于5nm的SERS活性基底的制备方法

    公开(公告)号:CN106645077A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201510709422.0

    申请日:2015-10-28

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: G01N21/658

    Abstract: 本发明公开了一种基于新型高低温阶梯扩孔法的“热点”尺寸小于5nm的SERS活性基底的制备方法。首先在高温30℃条件下进行第一次扩孔,制备出孔径为83~87nm的UTAM,随后进行在低温13℃~20℃条件下进行第二次扩孔,制备出孔径为95~97nm的UTAM,随后进行金属真空热阻沉积,并去除UTAM,最终制得“热点”尺寸小于5nm的高增强SERS活性基底。本发明提供的“热点”尺寸小于5nm的金属纳米点阵SERS基底形貌均一,结构可控,拉曼信号增强显著,增强因子可达1010,且增强信号均一稳定。本发明方法,基于UTAM表面纳米结构制备技术的优势,通过高低温阶梯扩孔,结合真空热阻沉积,可方便地实现极小热点(

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