公开(公告)号：CN102012416A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010291200.9

申请日：2010-09-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈腊 ,  李哲 ,  康保娟 ,  沈少喜 ,  敬超 ,  曹世勋 ,  张金仓

IPC: G01N33/00 ,  G01B7/16

Abstract: 本发明涉及一种极端条件下测量材料应变特性的方法及系统。本方法操作步骤为：1.在具有极端条件的综合物性测量系统中安置样品；2.利用惠斯通半桥法测量应变；3.利用静态应变仪在预设温度磁场值下测量样品应变；4.消除误差。本系统是：一个综合物性测量系统和一个静态应变仪分别通过GPIB接口总线和RS232接口与一个微机终端相连，该微机终端包含一个数据采集分析系统。本发明能够在极低温和强磁场条件下测量样品静态应变特性。

公开(公告)号：CN102012416B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201010291200.9

申请日：2010-09-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈腊 ,  李哲 ,  康保娟 ,  沈少喜 ,  敬超 ,  曹世勋 ,  张金仓

IPC: G01N33/00 ,  G01B7/16

Abstract: 本发明涉及一种极端条件下测量材料应变特性的方法及系统。本方法操作步骤为：1.在具有极端条件的综合物性测量系统中安置样品；2.利用惠斯通半桥法测量应变；3.利用静态应变仪在预设温度磁场值下测量样品应变；4.消除误差。本系统是：一个综合物性测量系统和一个静态应变仪分别通过GPIB接口总线和RS232接口与一个微机终端相连，该微机终端包含一个数据采集分析系统。本发明能够在极低温和强磁场条件下测量样品静态应变特性。