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公开(公告)号：CN108258081B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201711281101.0
申请日：2017-12-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/109
Abstract: 本发明提供了一种CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用，基于AlN基底生长CdZnTe薄膜并制备AlN/CdZnTe基紫外光探测器，本发明AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括AlN衬底的制备、CdZnTe多晶升华源的准备、衬底预处理、CdZnTe薄膜的生长过程、AlN/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作5个主要步骤。本发明方法可以在AlN衬底上快速生长大面积、高质量的CdZnTe薄膜，AlN衬底可以保证AlN/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
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公开(公告)号：CN108258081A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711281101.0
申请日：2017-12-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/109
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1832 , H01L31/02966 , H01L31/109 , H01L31/1836
Abstract: 本发明提供了一种CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用，基于AlN基底生长CdZnTe薄膜并制备AlN/CdZnTe基紫外光探测器，本发明AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括AlN衬底的制备、CdZnTe多晶升华源的准备、衬底预处理、CdZnTe薄膜的生长过程、AlN/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作5个主要步骤。本发明方法可以在AlN衬底上快速生长大面积、高质量的CdZnTe薄膜，AlN衬底可以保证AlN/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
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公开(公告)号：CN105801127A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610120001.9
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/581 , C04B35/64 , C04B2235/6582
Abstract: 本发明公开了一种集成电路封装用的高热导率氮化铝陶瓷基板制备方法，其步骤：(1)先取无水碳酸锂、无水氧化钇放于马弗炉，合成锂酸钇，再经湿法球磨，制成浆料；(2)将球磨后浆料放入烘干机干燥，将烘干的干料经筛选，获得锂酸钇粉末；(3)按质量百分比，取锂酸钇、氟化钙和AlN粉体放于无水乙醇介质中，球磨24h，制成浆料；(4)将球磨后浆料放入烘干机干燥，将烘干的干料筛选，得到混合粉末；(5)将所得的粉末再干压、静压成型,得到素胚；(6)将素胚放在高温氮气炉，在氮气和氢气气氛中，升温至1450℃,烧结保温1小时，再升温至1735℃，烧结保温8h，然后降温冷却至室温，获得高热导率AlN陶瓷基板。该方法制备的AlN陶瓷基板热导率高、结构致密，晶粒细小，且分布均匀。
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公开(公告)号：CN116556753A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310539607.6
申请日：2023-05-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种智能复位位移放大型转动摩擦阻尼器及其使用方法，属于阻尼器技术领域；其技术方案为：阻尼器包括位移放大型摩擦耗能部分和智能复位部分。本发明的有益效果是：本发明相较于传统阻尼器，可通过位移放大装置将建筑物的梁柱转动位移放大，使摩擦材料与扇形钢板之间的相对位移变大，实现更好的摩擦耗能作用；在转动的过程中将动能转化为发条势能，为阻尼器提供足够的复位力，实现初始复位，结合三点空间定位装置以及主动复位马达对初始复位后的阻尼器进行智能微调，实现精准复位。
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公开(公告)号：CN109524491B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201811264136.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18 , H01L31/102
Abstract: 本发明提供了一种具有ZnTe过渡层的GaN‑CdZnTe复合结构组件、应用及其制备方法，基于GaN/ZnTe基底生长CdZnTe薄膜并制备GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器，本发明提供的GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括衬底预处理、ZnTe过渡层的溅射过程、CdZnTe薄膜的生长过程、GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作4个主要步骤。本发明方法能在GaN/ZnTe衬底上快速生长大面积、高质量CdZnTe薄膜，GaN/ZnTe衬底可以保证GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524491A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811264136.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18 , H01L31/102
Abstract: 本发明提供了一种具有ZnTe过渡层的GaN-CdZnTe复合结构组件、应用及其制备方法，基于GaN/ZnTe基底生长CdZnTe薄膜并制备GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器，本发明提供的GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括衬底预处理、ZnTe过渡层的溅射过程、CdZnTe薄膜的生长过程、GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作4个主要步骤。本发明方法能在GaN/ZnTe衬底上快速生长大面积、高质量CdZnTe薄膜，GaN/ZnTe衬底可以保证GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
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公开(公告)号：CN116556591A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310715190.4
申请日：2023-06-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种智能装配式钢筋连接器及其使用方法，属于装配式建筑工程技术领域；解决了现有调节钢筋连接器操作复杂、由人工操作完成、生产效率低下，无法实现智能化与自动化的技术问题；其技术方案为：智能装配式钢筋连接器由智能对接装置与智能找寻装置构成；其使用方法包括以下步骤：S1：通过螺纹套筒内壁设置的螺纹槽与钢筋螺纹连接；S2：确保上述步骤安装稳固后按动开始按钮，装置自动完成对接任务；S3：检查对接情况，对接完成。本发明的有益效果是：本发明具有简易化、自动化、智能化调节偏差功能。
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公开(公告)号：CN107170853A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710318230.6
申请日：2017-05-08
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L21/02389 , H01L21/02562 , H01L21/02631 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其步骤为：(1)将商用CdZnTe多晶体研磨成粉末作为升华源；(2)镀有氮化镓(GaN)的单晶硅片作为衬底，再用氮气吹干，放入近空间升华反应室内；(3 将升华室内气压抽至5pa以下；开卤素灯将升华源和衬底加热到600℃、550℃；生长20min，冷却至室温，取出，即得到GaN/CdZnTe薄膜；(4)用蒸镀法向上述GaN/CdZnTe薄膜表面蒸镀金属电极，再将金属电极放在N2氛围下退火，使GaN/CdZnTe与金属电极之间形成更好的欧姆接触，即制得复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器。该方法使用的GaN衬底可以保证复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器在高温、强辐射环境下的使用，对紫外光也具有有良好的稳定性和光响应特性。
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公开(公告)号：CN107170853B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710318230.6
申请日：2017-05-08
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其步骤为：(1)将商用CdZnTe多晶体研磨成粉末作为升华源；(2)镀有氮化镓(GaN)的单晶硅片作为衬底，再用氮气吹干，放入近空间升华反应室内；(3)将升华室内气压抽至5pa以下；开卤素灯将升华源和衬底加热到600℃、550℃；生长20min，冷却至室温，取出，即得到GaN/CdZnTe薄膜；(4)用蒸镀法向上述GaN/CdZnTe薄膜表面蒸镀金属电极，再将金属电极放在N2氛围下退火，使GaN/CdZnTe与金属电极之间形成更好的欧姆接触，即制得复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器。该方法使用的GaN衬底可以保证复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器在高温、强辐射环境下的使用，对紫外光也具有有良好的稳定性和光响应特性。
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公开(公告)号：CN220725539U
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202321529017.7
申请日：2023-06-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本实用新型公开了一种新型钢筋连接器，属于装配式建筑工程技术领域；解决了现有调节钢筋连接器操作复杂、由人工操作完成、生产效率低下，无法实现自动化的技术问题；其技术方案为：调节连接器由对接装置、找寻装置构成，对接装置包括夹片装置和对接旋转顶升装置，找寻装置包括控制装置、横向旋转顶升装置和竖向旋转顶升装置。本实用新型的有益效果是：本实用新型具有简易化、自动化调节偏差功能。
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