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公开(公告)号：CN113149639A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110505074.0
申请日：2021-05-10
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/472 , C04B35/622
Abstract: 本申请涉及一种新型二元系压电陶瓷及其制备方法，利用固相反应法制备了一种化学通式为0.365BiScO3‑0.635Pb(Ti(1‑x)Cox)O3的二元系压电陶瓷，Co含量x＝0、0.03。本申请中的压电陶瓷相对于未掺Co的0.365BiScO3‑0.635PbTiO3陶瓷，四方相衍射峰强度增大，在保持较高的居里温度的同时，介电损耗有所降低，kp、kt减小，Qm显著增大。1kHz时，x＝0、0.03的介电常数分别为1715、1107；介电损耗tanδ分别为5.1％、3.0％；其居里温度Tc分别为421℃、449℃；其kp分别为0.55、0.41；kt分别为0.53、0.47；Qm分别是23、151。本申请通过引入Co离子对BS‑PT陶瓷进行改性，制备出了具有较高居里温度，介电损耗较小，Qm较大的的0.365BiScO3‑0.635Pb(Ti(1‑x)Cox)O3压电陶瓷，使钪酸铋‑钛酸铅基陶瓷在压电材料研究领域的应用化迈出了很大的一步。
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