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公开(公告)号：CN110527964B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910827903.X
申请日：2019-09-03
Applicant: 上海大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/06 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及晶体管技术领域，提供了一种类金刚石复合薄膜，自下而上依次包括金属基层、金属碳化物梯度过渡层和氮银共掺杂类金刚石薄膜层。本发明通过设置金属碳化物梯度过渡层，改善了类金刚石薄膜与金属接触角过大的问题；本发明在类金刚石薄膜中掺杂氮和银，在提高类金刚石薄膜的热稳定性的同时，又可以降低其内应力，提高类金刚石复合薄膜的散热性能。本发明提供类金刚石复合薄膜的制备方法，该方法步骤简单，得到的复合薄膜质量高。本发明还提供了一种IGBT模块散热基板和一种IGBT模块，本发明在传统的IGBT模块的铜基板表面制备类金刚石复合薄膜，可以明显提升散热铜板的导热性能，进而提高整个IGBT模块的传热能力。
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公开(公告)号：CN110527964A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910827903.X
申请日：2019-09-03
Applicant: 上海大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/06 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及晶体管技术领域，提供了一种类金刚石复合薄膜，自下而上依次包括金属基层、金属碳化物梯度过渡层和氮银共掺杂类金刚石薄膜层。本发明通过设置金属碳化物梯度过渡层，改善了类金刚石薄膜与金属接触角过大的问题；本发明在类金刚石薄膜中掺杂氮和银，在提高类金刚石薄膜的热稳定性的同时，又可以降低其内应力，提高类金刚石复合薄膜的散热性能。本发明提供类金刚石复合薄膜的制备方法，该方法步骤简单，得到的复合薄膜质量高。本发明还提供了一种IGBT模块散热基板和一种IGBT模块，本发明在传统的IGBT模块的铜基板表面制备类金刚石复合薄膜，可以明显提升散热铜板的导热性能，进而提高整个IGBT模块的传热能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109817792A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910112376.4
申请日：2019-02-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明公开了一种向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法，所述方法包括：将微型发光二极管阵列刻蚀面划分为三个区域；将三个区域依次作为待涂覆区域；采用光刻胶对待涂覆区域之外的两个区域进行涂覆；采用刻蚀法将待涂覆区域刻蚀成一个凹型区域；确定待涂覆区域上量子点的预设分布；制作与待涂覆区域上量子点的预设分布相匹配的掩膜版，将掩膜版放置在凹型区域内；采用有机溶剂去除待涂覆区域之外的两个区域上的光刻胶；将与待涂覆区域对应的预设颜色量子点通过掩膜版上的镂空位置涂覆在待涂覆区域上；去掉掩膜版。本发明借助掩模版进行量子点的印刷或旋涂，实现量子点的均匀快速涂覆，提高了量子点的涂覆效率和涂覆质量。
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公开(公告)号：CN119330697A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411448025.8
申请日：2024-10-17
Applicant: 上海大学 , 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种铁酸铋‑钛酸铅‑钛酸钡三元系高温压电陶瓷材料及其制备方法与应用，所述铁酸铋‑钛酸铅‑钛酸钡三元系高温压电陶瓷材料的化学通算式为(1‑x‑y)(BiMez)FeO3‑xPbTiO3‑yBaTiO3，其中Me为稀土元素，x＝0.13～0.27，y＝0.10～0.25，z＝0～0.30，z不为0。所述Me选自La，Ce，Sm，Gd，Ho中的任意一种。与现有技术相比，本发明由于引入了Me，减弱B‑O键的共价特性，促进畴的转动，从而在保证较高居里温度的同时获得优异的压电性能，并且离子掺杂降低了漏导，有利于其在器件中的应用。
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公开(公告)号：CN111885780A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010787471.7
申请日：2020-08-07
Applicant: 上海大学
IPC: H05B45/325 , H05B45/10 , H05B45/50
Abstract: 本发明涉及一种智能UVLED灯具。所述智能UVLED灯具包括依次电连接的接口模块、主控模块、驱动模块和UVLED阵列模块；接口模块与PC端连接；接口模块用于与PC端进行信号交互；主控模块分别用于与接口模块和驱动模块进行信号交互；驱动模块用于根据主控模块中生成的驱动信号驱动UVLED阵列模块；驱动信号用于驱动UVLED阵列模块的工作时间和工作亮度。本发明提供的智能UVLED灯具，通过采用主控模块生成驱动信号以驱动UVLED阵列模块进行工作，以实现UVLED灯具的智能控制。并且，主控模块能够与接口模块和驱动模块实时进行信号交互，这进一步能够满足多路不同光强和不间断高灵敏度检测的需求。
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公开(公告)号：CN110444559B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910752615.2
申请日：2019-08-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种Micro‑LED阵列及其制备方法，涉及LED封装领域，主要包括硅基板、金属基板以及位于硅基板、金属基板之间的多个相同的发光芯片；发光芯片由下向上依次设置金属触点、p型氮化镓层、多量子阱层和n型氮化镓层；硅基板上设置有布线，金属触点通过布线与硅基板电气互联，金属基板设置在n型氮化镓层上；金属触点作为发光芯片的p电极；金属基板作为发光芯片的n电极；当硅基板通电后，电流从金属触点流向金属基板，实现Micro‑LED阵列的发光。本发明公开的Micro‑LED阵列及其制备方法，能够实现Micro‑LED阵列的无金线封装。
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公开(公告)号：CN110444559A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910752615.2
申请日：2019-08-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种Micro-LED阵列及其制备方法，涉及LED封装领域，主要包括硅基板、金属基板以及位于硅基板、金属基板之间的多个相同的发光芯片；发光芯片由下向上依次设置金属触点、p型氮化镓层、多量子阱层和n型氮化镓层；硅基板上设置有布线，金属触点通过布线与硅基板电气互联，金属基板设置在n型氮化镓层上；金属触点作为发光芯片的p电极；金属基板作为发光芯片的n电极；当硅基板通电后，电流从金属触点流向金属基板，实现Micro-LED阵列的发光。本发明公开的Micro-LED阵列及其制备方法，能够实现Micro-LED阵列的无金线封装。
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