公开(公告)号：CN117505847A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311441300.9

申请日：2023-11-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 冯振杰 ,  张一烽 ,  高宇 ,  车仁超 ,  张金仓

IPC: B22F1/142 ,  B22F9/04 ,  B22F1/068 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  H01F1/147 ,  H01F41/00 ,  H01Q17/00

Abstract: 本发明公开了一种钴基哈斯勒合金材料及其制备方法和应用，其制备方法包括以下步骤：(1)按2：(1～1.75)：(0.25～1)摩尔比例称量钴单质粉末、铁单质粉末和锗单质粉末，混合后放置于碳化钨研磨罐中，加入无水乙醇，加入研磨球，球磨处理；(2)将球磨粉末烘干过筛，取筛下磁性合金粉料封入真空石英管，使用马弗炉进行热处理，随炉冷却至室温获得钴铁锗哈斯勒合金。本发明采用球磨方法，可以有效改变合金粉末的表面形貌，使其形成比表面积更大的片状粉末，从而改善磁性合金的电磁吸收性能；通过哈斯勒合金组分元素的选择和比例变化可以有效的增加磁性合金的饱和磁化强度，增加其居里温度，提高磁性合金在高温下的电磁波吸收性能。