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公开(公告)号：CN117119818A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311063079.8
申请日：2023-08-22
Applicant: 上海大学
IPC: H10K50/11 , H10K50/17 , H10K50/12 , G06F17/18 , G06F16/901
Abstract: 本发明公开一种OLED器件及其复合区识别方法，涉及有机半导体器件领域；该OLED器件包括：器件本体、第一敏化层和第二敏化层；器件本体包括带有ITO电极的玻璃基板，以及在玻璃基板的表面由底至顶依次沉积的电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极；第一敏化层沉积设置在电子传输层和发光层的层级界面处；第二敏化层沉积设置在空穴传输层和发光层的层级界面处；第一敏化层和第二敏化层采用的材料不同；本发明能够确定器件激子复合区域的分布。
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