公开(公告)号：CN103193395B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201310104737.3

申请日：2013-03-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 孙冬梅 ,  赵保杰 ,  程芳 ,  俞圣雯

IPC: C03C17/23 ,  C03C17/22

Abstract: 本发明涉及在FTO(掺氟的SnO2)导电玻璃上，通过溶胶-凝胶工艺，制得的可应用于高电场(2300kV/cm)的铋铁系多铁性薄膜，属于制备无机非金属多铁性薄膜材料技术领域。其目的是旨在导电玻璃上，设计溶胶前驱体配置，制备出高度绝缘的铋铁系多铁性薄膜材料。工艺过程为：采用溶胶-凝胶方法在溶胶前驱液中，引入了小比例的ZnO成复合溶胶，经涂覆、热处理等工艺后，合成了主相属铋铁系氧化物薄膜材料，与以纯BFO-PT合成的薄膜相比，具有明显多铁性能与高度绝缘性。本发明具有计量配比容易控制、实施方便、周期短等优点，此类薄膜具多铁性与高度绝缘性，可应用于航天、汽车工业、生物医学、信息技术等领域。

公开(公告)号：CN102863209B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210349451.7

申请日：2012-09-20

Applicant: 上海大学

Inventor： 俞圣雯 ,  孙冬梅 ,  张海波

IPC: H01L21/02 ,  C04B35/453 ,  C04B35/624 ,  C03C17/22

Abstract: 本发明涉及在FTO(掺F的SnO2)导电玻璃衬底上制备高质量的铁酸铋-钛酸铅薄膜，属于无机非金属材料制备工艺技术领域。本发明采用FTO(掺氟的SnO2)导电玻璃作为衬底，以溶胶-凝胶方法制备得到集铁电存储与可见光光电响应功能于一身的铁酸铋－钛酸铅(0.7BFO-0.3PT)薄膜/FTO导电玻璃结构材料。通过制备铂金Pt上电极及其ITO(掺Sn的In2O3)透明电极分别对其电学、光学性能进行表征。

公开(公告)号：CN103193395A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310104737.3

申请日：2013-03-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 孙冬梅 ,  赵保杰 ,  程芳 ,  俞圣雯

IPC: C03C17/23 ,  C03C17/22

Abstract: 本发明涉及在FTO(掺氟的SnO2)导电玻璃上，通过溶胶-凝胶工艺，制得的可应用于高电场(2300kV/cm)的铋铁系多铁性薄膜，属于制备无机非金属多铁性薄膜材料技术领域。其目的是旨在导电玻璃上，设计溶胶前驱体配置，制备出高度绝缘的铋铁系多铁性薄膜材料。工艺过程为：采用溶胶-凝胶方法在溶胶前驱液中，引入了小比例的ZnO成复合溶胶，经涂覆、热处理等工艺后，合成了主相属铋铁系氧化物薄膜材料，与以纯BFO-PT合成的薄膜相比，具有明显多铁性能与高度绝缘性。本发明具有计量配比容易控制、实施方便、周期短等优点，此类薄膜具多铁性与高度绝缘性，可应用于航天、汽车工业、生物医学、信息技术等领域。

公开(公告)号：CN102863209A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210349451.7

申请日：2012-09-20

Applicant: 上海大学

Inventor： 俞圣雯 ,  孙冬梅 ,  张海波

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/624 ,  C03C17/22

Abstract: 本发明涉及在FTO(掺F的SnO2)导电玻璃衬底上制备高质量的铁酸铋-钛酸铅薄膜，属于无机非金属材料制备工艺技术领域。本发明采用FTO(掺氟的SnO2)导电玻璃作为衬底，以溶胶-凝胶方法制备得到集铁电存储与可见光光电响应功能于一身的铁酸铋－钛酸铅(0.7BFO-0.3PT)薄膜/FTO导电玻璃结构材料。通过制备铂金Pt上电极及其ITO(掺Sn的In2O3)透明电极分别对其电学、光学性能进行表征。