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公开(公告)号：CN115389895A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211028617.5
申请日：2022-08-25
Applicant: 上海大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于体二极管反向恢复时间的功率MOSFET结温检测系统及检测方法，基于结温标定实验获取的参数构建功率MOSFET体二极管关断时刻前向电流‑反向恢复时间‑结温的三维模型，检测并记录待测功率MOSFET器件在实际工况中运行时的工作参数，实现对其结温的预估。本发明以功率MOSFET体二极管的反向恢复时间为特征参数对其结温进行检测，该方法利用功率MOSFET固有的体二极管结构，简单可靠，准确性高，解决了功率MOSFET结温检测困难的问题，能保证器件及电力电子系统的稳定安全运行，具备一定的可发展性。
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