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发明公开
一种增材制造高熵合金的室温电化学刻蚀方法审中-实审

公开(公告)号：CN118792724A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410760710.8

申请日：2024-06-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 魏亮 , 周东益 , 赵珊 , 李仲硕

IPC: C25F3/02 , B22F10/28 , B33Y10/00 , G01N1/32

Abstract: 本发明公开了一种增材制造高熵合金的室温电化学刻蚀方法具体是以增材制造耐蚀高熵合金为研究对象，经历粗磨、细磨，机械抛光后进行室温电化学刻蚀，电解液为3～10wt.％NaCl溶液，合金试样为阳极，316L电极为阴极，能够快速有效的刻蚀得到金相组织，清晰显示合金熔池线、晶粒/界及亚晶结构。该方法解决了王水腐蚀效果差，现有技术在常温下无法清晰刻蚀出增材制造耐蚀高熵合金金相组织的问题，同时避免了低温处理刻蚀剂制备工艺复杂、刻蚀设备结构复杂、刻蚀操作过程不方便等问题。本方法原料来源常见无需特殊处理，设备结构简单、成本低，操作简捷、成本低、绿色环保且金相刻蚀效果优异。

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