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公开(公告)号：CN116111023A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310086837.1
申请日：2023-02-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种C字形阳极Micro‑LED器件及其制备方法，涉及Micro LED显示技术领域，本发明在常规垂直型Micro‑LED器件基础上，在PGaN侧壁挖去一块沉积钝化层后，沉积金属电极从而形成C字形阳极。利用水平方向电极平衡侧壁电场，也就是抑制由侧壁陷阱引起的横向电场，进而增大Micro‑LED器件量子阱单位尺寸上的辐射复合率积分，抑制由侧壁陷阱引起的辐射复合率随尺寸减小而降低的现象，即抑制Micro‑LED器件的小尺寸效应。
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