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公开(公告)号：CN116864520A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310868179.1
申请日：2023-07-14
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/205 , H01L29/20 , H01L21/331 , H01L29/737
Abstract: 本发明公开一种氮化镓基双极结型晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域；在AlGaN势垒层和GaN沟道层的交界面处通过压电极化和自发极化效应在靠近GaN沟道层一侧产生二维电子气层；从绝缘层的顶面的中部，向下刻蚀至GaN沟道层的底面，形成用于沉积生长P型半导体层的凹槽；从发射区绝缘层的顶面远离P型半导体层的端部和集电区绝缘层的顶面远离P型半导体层的端部，向下刻蚀至发射区AlGaN势垒层的顶面，形成用于沉积生长发射极和集电极的两凹槽；在P型半导体层的顶面沉积生长基极；本发明可大大提高电子在发射区和集电区的迁移率，提升器件的大电流输出能力、功率密度和高频应用能力。
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