公开(公告)号：CN118422126A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410562168.5

申请日：2024-05-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄波 ,  刘鹏华

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种强韧型非晶态CuZr‑晶态Cr梯度多层膜的制备方法，属于多层膜磁控溅射制造技术领域。本发明利用磁控溅射技术，通过非晶态CuZr层和晶态Cr层的交替沉积叠加，在非晶态CuZr中引入了厚度呈梯度分布的晶态Cr层，获得了强韧型非晶态CuZr‑晶态Cr梯度多层膜，非晶态CuZr层和晶态Cr层间具有良好的结合力，获得的强韧型非晶态CuZr‑晶态Cr梯度多层膜各层之间良好结合，无裂纹等缺陷产生。梯度晶态Cr层的引入显著提高了非晶态CuZr的强韧性。

公开(公告)号：CN118422126B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410562168.5

申请日：2024-05-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 黄波 ,  刘鹏华

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种强韧型非晶态CuZr‑晶态Cr梯度多层膜的制备方法，属于多层膜磁控溅射制造技术领域。本发明利用磁控溅射技术，通过非晶态CuZr层和晶态Cr层的交替沉积叠加，在非晶态CuZr中引入了厚度呈梯度分布的晶态Cr层，获得了强韧型非晶态CuZr‑晶态Cr梯度多层膜，非晶态CuZr层和晶态Cr层间具有良好的结合力，获得的强韧型非晶态CuZr‑晶态Cr梯度多层膜各层之间良好结合，无裂纹等缺陷产生。梯度晶态Cr层的引入显著提高了非晶态CuZr的强韧性。